[發明專利]基板處理方法有效

申請號：	201310488001.0	申請日：	2013-10-17
公開（公告）號：	CN103779183B	公開（公告）日：	2017-04-19
發明（設計）人：	金秉勛;李昔宗	申請（專利權）人：	PSK有限公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02
代理公司：	北京品源專利代理有限公司11332	代理人：	鞏克棟,楊生平
地址：	韓國京畿***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	處理方法
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【說明書】：

技術領域

本發明系關于半導體制造方法，特定而言，系關于在一腔室內，針對多個薄膜控制其各自蝕刻選擇比的基板處理方法。

現有技術

存儲元件或顯示元件可包括在基板上層迭的多個薄膜。多個薄膜可借助于光刻步驟及蝕刻步驟而形成圖案。蝕刻步驟可包括干式蝕刻方法或濕式蝕刻方法。蝕刻步驟根據對各個薄膜的蝕刻選擇比執行。蝕刻選擇比可根據蝕刻氣體或蝕刻液之固有特性決定。當去除薄膜時，應投入相應腔室內進行蝕刻。因此，先前之基板處理方法具有生產率下降的缺點。

發明內容

[要解決的技術問題]

本發明要實現之技術問題在于提供一種能夠在一腔室內，針對多個薄膜分別調節蝕刻選擇比的基板處理方法。

另外，本發明的另一問題在于提供一種能夠使生產率及生產收率提高的基板處理方法。

[問題的解決手段]

本發明實施方式之基板處理方法包括：基板提供步驟，其提供形成有第一薄膜及第二薄膜的基板；蝕刻副產物形成步驟，其向該基板上提供頂部流動蝕刻氣體，在第一薄膜之頂部面形成蝕刻副產物；第一薄膜蝕刻步驟，其對該基板進行熱處理，去除該蝕刻副產物，蝕刻該第一薄膜；以及任選的去除步驟，其向該基板上提供底部流動蝕刻氣體，視需要去除該第一薄膜及該第二薄膜中剩余的一個。

根據本發明之一實施方式，該第一薄膜可包括氧化硅膜。

根據本發明之另一實施方式，該第二薄膜可包括多晶硅或氮化硅膜。

根據本發明之一實施方式，該頂部流動蝕刻氣體及該底部流動蝕刻氣體可包括三氟化氮。

根據本發明之另一實施方式，該三氟化氮可經受遠程等離子處理。

根據本發明之一實施方式，該蝕刻副產物可包括氨、氫氟酸或硅。

根據本發明之另一實施方式，該基板之熱處理可于100℃執行。

根據本發明之一實施方式，在提供該頂部流動蝕刻氣體及該底部流動蝕刻氣體時，可提供活性氣體或反應氣體。

根據本發明之另一實施方式，該活性氣體可包括氧氣。

根據本發明之一實施方式，該反應氣體可包括氫氣或氮氣。

本發明之另一實施方式的基板處理方法包括：基板載入步驟，將形成有第一薄膜及第二薄膜之基板載入腔室內；薄膜去除步驟，向該腔室內提供頂部流動蝕刻氣體或底部流動蝕刻氣體中之一，去除該第一薄膜及該第二薄膜中之一；以及剩余薄膜去除步驟，向該腔室內提供該頂部流動蝕刻氣體或該底部流動蝕刻氣體中剩余的一個，去除該第一薄膜與該第二薄膜中剩余的一個。

根據本發明之一實施方式，該頂部流動蝕刻氣體及該底部流動蝕刻氣體可包括經受遠程等離子處理之三氟化氮。

根據本發明之另一實施方式，該頂部流動蝕刻氣體可在該第一薄膜或該第二薄膜上形成蝕刻副產物。

根據本發明之一實施方式，亦可包括去除該蝕刻副產物的步驟。

根據本發明之另一實施方式，該蝕刻副產物去除步驟可包括該基板的熱處理步驟。

根據本發明之一實施方式，該三氟化氮可與反應氣體或活性氣體混合提供于該腔室內。

根據本發明之另一實施方式，該反應氣體可包括氫氣或氮氣。

根據本發明之一實施方式，該活性氣體可包括氧氣。

根據本發明之另一實施方式，該第一薄膜及第二薄膜可分別包括氧化硅膜及多晶硅。

根據本發明之一實施方式，該第一薄膜及第二薄膜可分別包括氧化硅膜及氮化硅膜。

[發明效果]

本發明實施方式的基板處理方法可包括絕緣層與半導體層之表面氧化步驟、蝕刻步驟及熱處理步驟。表面氧化步驟可為在半導體層的第一頂部表面形成封口絕緣層的步驟。蝕刻步驟可為使該封口絕緣層及該絕緣層形成蝕刻副產物的步驟。熱處理步驟可為去除蝕刻副產物的步驟。

因此，本發明實施方式的基板處理方法可容易地調節絕緣層與半導體層的蝕刻斷差。