[發明專利]基板處理方法有效
| 申請號： | 201310488001.0 | 申請日： | 2013-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN103779183B | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | 金秉勛;李昔宗 | 申請（專利權）人： | PSK有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人： | 鞏克棟,楊生平 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 | ||
1.一種基板處理方法，其特征在于包括：
基板載入步驟，將形成有第一薄膜及第二薄膜的基板載入腔室內；
薄膜去除步驟，向該腔室內提供頂部流動蝕刻氣體或底部流動蝕刻氣體中之一，去除該第一薄膜及該第二薄膜中之一；以及
剩余薄膜去除步驟，向該腔室內提供該頂部流動蝕刻氣體或該底部流動蝕刻氣體中剩余的一個，去除該第一薄膜與該第二薄膜中剩余的一個；
所述提供該頂部流動蝕刻氣體或該底部流動蝕刻氣體中剩余的一個，去除該第一薄膜與該第二薄膜中剩余的一個，是在所述提供頂部流動蝕刻氣體或底部流動蝕刻氣體中之一，去除該第一薄膜及該第二薄膜中之一之后實施的；
該頂部流動蝕刻氣體及該底部流動蝕刻氣體包括經受遠程等離子處理的三氟化氮；
該第一薄膜及第二薄膜分別包括氧化硅膜及多晶硅或氮化硅膜。
2.如權利要求1所所述的基板處理方法，其中，
該頂部流動蝕刻氣體在該第一薄膜或該第二薄膜上形成蝕刻副產物。
3.如權利要求2所所述的基板處理方法，其中，
進一步包括去除該蝕刻副產物的步驟。
4.如權利要求3所所述的基板處理方法，其中，
該蝕刻副產物的去除步驟包括該基板的熱處理步驟。
5.如權利要求1所所述的基板處理方法，其中，
該三氟化氮與反應氣體或活性氣體混合提供于該腔室內。
6.如權利要求5所所述的基板處理方法，其中，
該反應氣體包括氫氣或氮氣。
7.如權利要求5所所述的基板處理方法，其中，
該活性氣體包括氧氣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
