[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310487827.5
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN103779466B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 崔恩實;吳正鐸;鄭明訓;宋基榮
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,董文國

技術領域

實施方案涉及發光器件。實施方案涉及發光器件封裝件。

背景技術

已經對包括發光器件的發光器件封裝件進行了積極的研究和探索。

發光器件為包括半導體材料以將電能轉換成光的半導體發光器件或半導體發光二極管。

與其它光源如熒光燈和白熾燈等相比，半導體發光器件由于功耗低、壽命長、響應時間快、安全以及環保，因而是有利的。因此，對用半導體發光器件替代現有光源已經進行了大量的研究和探索。

另外，半導體發光器件具有逐漸用于在室內和室外場所使用的各種燈、液晶顯示器、電子顯示器或諸如路燈等照明裝置的光源的趨勢。

發明內容

實施方案提供了一種能夠通過增加注入的空穴來提高發光效率的發光器件。

實施方案提供了一種能夠通過增加空穴的濃度來提高發光效率的發光器件。

根據實施方案，提供了一種發光器件，包括：包含第一導電摻雜劑的第一半導體層、在第一半導體層上的有源層、在有源層上的電子阻擋層、在有源層與電子阻擋層之間的載流子注入層以及在電子阻擋層上的包含第二導電摻雜劑的第二半導體層。所述載流子注入層包含第一導電摻雜劑和第二導電摻雜劑，并且載流子注入層的第一導電摻雜劑的濃度低于第二導電摻雜劑的濃度。

根據實施方案，提供了一種發光器件，包括：包含第一導電摻雜劑的第一半導體層、在第一半導體層上的有源層、在有源層上的電子阻擋層、在有源層與電子阻擋層之間的載流子注入層以及在電子阻擋層上的包含第二導電摻雜劑的第二半導體層。所述載流子注入層包括包含第一導電摻雜劑的第三半導體層、在第三半導體層上的未摻雜的第四半導體層以及在第四半導體層上的包含第二導電摻雜劑的第五半導體層。

根據實施方案，發光器件封裝件包括本體、設置在本體上的第一引線電極和第二引線電極以及圍繞發光器件的模制構件。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施方案的發光器件的截面圖。

圖2是示出圖1的發光器件中的電子阻擋層的截面圖。

圖3是示出表示圖1的發光器件的能帶圖的視圖。

圖4是示出圖1的發光器件的載流子注入層中的載流子注入的視圖。

圖5是示出根據第二實施方案的發光器件的截面圖。

圖6是示出圖5的發光器件的能帶圖的視圖。

圖7是示出圖5的發光器件的載流子注入層中的載流子注入的視圖。

圖8是示出根據實施方案的發光器件封裝件的截面圖。

具體實施方式

在實施方案的描述中，應當理解，當一個部件被稱作在另一個部件的“上（上方）”或“下（下方）”時，術語“上（上方）”和“下（下方）”包括“直接地”和“間接地”的意思兩者。另外，在每個層的“上”和“下”的意思不僅包括向上方向，還包括向下方向。

圖1是示出根據第一實施方案的發光器件的截面圖。

參照圖1，根據第一實施方案的發光器件1可以包括：襯底10、第一導電半導體層12、有源層14、間隔層16、載流子注入層18、電子阻擋層20以及第二導電半導體層22，但實施方案不限于此。

發光結構可以由第一導電半導體層12、有源層14、間隔層16、載流子注入層18、電子阻擋層20以及第二導電半導體層22來形成。

根據實施方案的發光器件1還可以包括設置在襯底10與第一導電半導體層12之間的緩沖層（未示出）。

根據實施方案的發光器件1還可以包括設置在第一導電半導體層12下的和/或設置在第二導電半導體層22上的另外的半導體層（未示出）。

根據實施方案的發光器件1還可以包括設置在緩沖層與第一導電半導體層12之間的未摻雜的半導體層（未示出）。

襯底10容易生長發光結構，然而，實施方案不限于此。

為了穩定地生長發光結構，襯底10可以包括在晶格常數方面與發光結構表現出較小差異的材料。

襯底10可以包括選自藍寶石（Al₂O₃）、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP和Ge中的至少一種。

緩沖層22可以設置在襯底10和發光結構20之間，可以形成緩沖層22以減小襯底10與發光結構之間的晶格常數差。

緩沖層22、未摻雜半導體層、第一導電半導體層12、有源層14、間隔層16、載流子注入層18、電子阻擋層20以及第二導電半導體層22可以包含第II族至第VI族化合物半導體材料。

第一導電半導體層12可以形成在襯底10上。