[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201310487827.5
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN103779466B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 崔恩實;吳正鐸;鄭明訓;宋基榮
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,董文國

1.一種發光器件，包括：

包含第一導電摻雜劑的第一半導體層；

設置在所述第一半導體層上的有源層；

設置在所述有源層上的電子阻擋層；

設置在所述有源層與所述電子阻擋層之間的載流子注入層；

設置在所述有源層與所述載流子注入層之間的間隔層；以及

包含第二導電摻雜劑并且設置在所述電子阻擋層上的第二半導體層；

其中所述載流子注入層包含所述第一導電摻雜劑和所述第二導電摻雜劑，以及

所述載流子注入層的所述第一導電摻雜劑的濃度至少低于所述第二導電摻雜劑的濃度，

其中所述間隔層具有大于所述有源層的勢壘層的帶隙并且小于所述電子阻擋層的帶隙的中間帶隙。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一導電摻雜劑包含N型摻雜劑，并且所述第二導電摻雜劑包含P型摻雜劑，

其中所述載流子注入層包括包含所述P型摻雜劑的原子和所述N型摻雜劑的原子的鍵合結構，以及

其中所述電子阻擋層具有大于所述間隔層的能帶隙的能帶隙。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述間隔層包含選自InGaN、AlGaN和InAlGaN中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述間隔層包含InGaN或InAlGaN，并且銦(In)的含量在0.01％至5％的范圍內。

5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述間隔層包含AlGaN或InAlGaN，并且鋁(Al)的含量在0.01％至10％的范圍內。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的發光器件，其中所述電子阻擋層包括：

在所述載流子注入層上的第一電子阻擋層；以及

在所述第一電子阻擋層上的第二電子阻擋層，所述第二電子阻擋層的帶隙大于所述第一電子阻擋層的帶隙。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述第一電子阻擋層包含InAlGaN，并且所述第二電子阻擋層包含AlGaN。

8.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述載流子注入層的所述P型摻雜劑具有在1E19至5E20范圍內的濃度。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述間隔層連接至所述有源層的勢壘層并且所述間隔層的帶隙大于勢壘層的帶隙。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述載流子注入層的帶隙窄于所述間隔層的帶隙。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其中所述載流子注入層具有與所述有源層的勢壘層的帶隙相同的帶隙。

12.根據權利要求8所述的發光器件，其中所述載流子注入層的所述N型摻雜劑的濃度在1E16至1E20范圍內。

13.一種發光器件，包括：

包含第一導電摻雜劑的第一半導體層；

設置在所述第一半導體層上的有源層；

設置在所述有源層上的電子阻擋層；

設置在所述有源層與所述電子阻擋層之間的載流子注入層；

設置在所述有源層與所述載流子注入層之間的間隔層；以及

包含第二導電摻雜劑并且設置在所述電子阻擋層上的第二半導體層；

其中所述載流子注入層包含所述第一導電摻雜劑和所述第二導電摻雜劑，以及

所述載流子注入層的所述第一導電摻雜劑的濃度至少低于所述第二導電摻雜劑的濃度，

其中所述載流子注入層包括：

包含P型摻雜劑和N型摻雜劑的第三半導體層；

在所述第三半導體層上的未摻雜的第四半導體層；以及

設置在所述第四半導體層上的包含P型摻雜劑和N型摻雜劑的第五半導體層，

其中所述載流子注入層的所述N型摻雜劑的濃度至少低于所述P型摻雜劑的濃度，

其中所述間隔層具有大于所述有源層的勢壘層的帶隙并且小于所述電子阻擋層的帶隙的中間帶隙。

14.根據權利要求13所述的發光器件，其中所述第三半導體層的P型摻雜劑的摻雜濃度等于所述第五半導體層的P型摻雜劑的摻雜濃度，

其中所述第三半導體層或所述第五半導體層包括包含所述P型摻雜劑的原子和所述N型摻雜劑的原子的鍵合結構。