[發明專利]半導體封裝件及其制法

有效

• 申請號: 201310487209.0
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN104517911B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林畯棠;紀杰元;林辰翰
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝件及其制法，特別是指一種可提升良率的半導體封裝件及其制法。

背景技術

目前的扇出(Fan-Out)型半導體封裝件主要通過于載體的整個表面上形成封裝膠體以對多個芯片進行封裝，但因該封裝膠體與該載體的接觸面積過大，且該封裝膠體的熱膨脹系數(Coefficient of Thermal Expansion;CTE)高于該載體的熱膨脹系數，以致該封裝膠體容易產生過大應力而造成翹曲(warpage)的情形，因而導致后續難以在該封裝膠體上進行線路重布及切單等制程。

圖1A與圖1B為繪示現有技術的半導體封裝件的制法的剖視示意圖。

如圖1A所示，先形成剝離層(release layer)11于載體10上，并設置多個具有焊墊121的芯片12于該剝離層11上，再形成封裝膠體13于該剝離層11上以包覆該些芯片12。

接著，對該載體10、剝離層11與封裝膠體13進行烘烤作業，并移除該載體10與該剝離層11。

上述半導體封裝件的制法的缺點，在于該封裝膠體13與該載體10上的剝離層11的接觸面積過大，且該封裝膠體13的熱膨脹系數與楊氏系數(Young’s Modulus)也分別高于該載體10的熱膨脹系數與楊氏系數，使得該封裝膠體13容易產生如圖1B所示翹曲的情形，因而導致后續難以在該封裝膠體13上進行線路重布及切單等制程，并降低該半導體封裝件的良率。

因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

本發明的主要目的為提供一種半導體封裝件及其制法，能防止該些封裝膠體產生翹曲的情形，并提升該半導體封裝件的良率。

本發明的半導體封裝件，其包括：半導體組件，其具有作用面與形成于該作用面的多個焊墊；封裝膠體，其具有相對的第一表面與第二表面，并包覆該半導體組件，且該封裝膠體的第一表面外露出該半導體組件的作用面及焊墊；以及緩沖層，其形成于該封裝膠體的第二表面上。

該封裝膠體可具有鄰接該第一表面與該第二表面的側面，該緩沖層形成于該封裝膠體的第二表面及側面上。

該半導體封裝件可包括線路層，其形成于該半導體組件的作用面上以電性連接該些焊墊。

本發明還提供一種半導體封裝件的制法，其包括：提供一第一承載件與多個半導體組件，該半導體組件具有作用面與形成于該作用面的多個焊墊；以該作用面將該半導體組件設置于該第一承載件上；形成封裝膠體于該第一承載件上以分別包覆該些半導體組件，并使該些封裝膠體之間具有間隙；形成緩沖層于該第一承載件上以包覆該些封裝膠體及填入該間隙；以及移除該第一承載件以外露出該半導體組件的作用面、焊墊、封裝膠體及緩沖層。

該第一承載件可具有第一載體與形成于該第一載體上的第一剝離層，該半導體組件以該作用面設置于該第一剝離層上，該些封裝膠體與該緩沖層依序形成于該第一剝離層上。

該半導體封裝件的制法可包括藉由該第一剝離層移除該第一承載件的第一載體。

該半導體封裝件的制法可包括提供一具有第二載體與形成該第二載體上的第二剝離層的第二承載件，并于形成該緩沖層后，以該第二剝離層將該第二承載件形成于該緩沖層上；以及形成線路層于該封裝膠體的第一表面及該半導體組件的作用面上以電性連接該些焊墊。

該半導體封裝件的制法可包括藉由該第二剝離層移除該第二承載件的第二載體；以及進行切單作業以形成多個半導體封裝件。該切單作業可依據該些封裝膠體的側面進行切割、或依據該些封裝膠體的間隙或周圍的緩沖層進行切割，以形成該些半導體封裝件。

上述半導體封裝件及其制法中，該封裝膠體可藉由網版印刷、壓合或模壓方式包覆于該半導體組件上。該緩沖層的熱膨脹系數可低于該封裝膠體的熱膨脹系數，而該緩沖層的楊氏系數也可低于該封裝膠體的楊氏系數。該緩沖層可為熱膨脹系數介于3至20ppm/℃或楊氏系數介于1至1000MPa(百萬帕斯卡)的有機聚合物。

由上可知，本發明的半導體封裝件及其制法，主要在第一承載件上設置多個半導體組件，并形成封裝膠體于該第一承載件上以分別包覆該些半導體組件，以使該些封裝膠體之間具有間隙，再形成緩沖層于該第一承載件上以包覆該些封裝膠體及填入該間隙，而該緩沖層的熱膨脹系數可低于該封裝膠體的熱膨脹系數，或該緩沖層的楊氏系數可低于該封裝膠體的楊氏系數。