[發明專利]半導體封裝件及其制法

有效

• 申請號: 201310487209.0
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN104517911B
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林畯棠;紀杰元;林辰翰
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種半導體封裝件，其包括：

半導體組件，其具有作用面與形成于該作用面的多個焊墊；

封裝膠體，其具有相對的第一表面與第二表面及鄰接該第一表面與該第二表面的側面，并包覆該半導體組件，且該封裝膠體的第一表面外露出該半導體組件的作用面及焊墊；以及

單層的緩沖層，其形成于該封裝膠體的第二表面及側面上以包覆該封裝膠體，且該單層的緩沖層為有機聚合物用以防止該封裝膠體產生翹曲。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，還包括線路層，形成于該半導體組件的作用面上以電性連接該些焊墊。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，該封裝膠體通過網版印刷、壓合或模壓方式包覆于該半導體組件上。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，該單層的緩沖層的熱膨脹系數低于該封裝膠體的熱膨脹系數。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，該單層的緩沖層的楊氏系數低于該封裝膠體的楊氏系數。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，該單層的緩沖層為熱膨脹系數介于3至20ppm/℃或楊氏系數介于1至1000MPa的該有機聚合物。

7.一種半導體封裝件的制法，其包括：

提供一第一承載件與多個半導體組件，該半導體組件具有作用面與形成于該作用面的多個焊墊；

以該作用面將該半導體組件設置于該第一承載件上；

形成封裝膠體于該第一承載件上以分別包覆該些半導體組件，并使該些封裝膠體之間具有間隙，該封裝膠體具有相對的第一表面與第二表面及鄰接該第一表面與該第二表面的側面；

形成單層的緩沖層于該第一承載件上以包覆該些封裝膠體及填入該間隙，其中，該單層的緩沖層形成于該封裝膠體的第二表面及側面上以包覆該封裝膠體，且該單層的緩沖層為有機聚合物用以防止該封裝膠體產生翹曲；以及

移除該第一承載件以外露出該半導體組件的作用面、焊墊、封裝膠體及單層的緩沖層。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制法，其中，該第一承載件還具有第一載體與形成于該第一載體上的第一剝離層，該半導體組件以該作用面設置于該第一剝離層上，該些封裝膠體與該單層的緩沖層依序形成于該第一剝離層上。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝件的制法，還包括通過該第一剝離層移除該第一承載件的第一載體。

10.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制法，還包括提供一具有第二載體與形成該第二載體上的第二剝離層的第二承載件，并于形成該單層的緩沖層后，以該第二剝離層將該第二承載件形成于該單層的緩沖層上。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝件的制法，還包括形成線路層于該半導體組件的作用面上以電性連接該些焊墊。

12.根據權利要求10所述的半導體封裝件的制法，還包括通過該第二剝離層移除該第二承載件的第二載體。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝件的制法，還包括進行切單作業以形成多個半導體封裝件。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其中，該切單作業依據該些封裝膠體的側面進行切割以形成該些半導體封裝件。

15.根據權利要求13所述的半導體封裝件的制法，其中，該切單作業依據該些封裝膠體的間隙或周圍的單層的緩沖層進行切割以形成該些半導體封裝件。

16.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制法，其中，該封裝膠體通過網版印刷、壓合或模壓方式包覆于該半導體組件上。

17.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制法，其中，該單層的緩沖層的熱膨脹系數低于該封裝膠體的熱膨脹系數。

18.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制法，其中，該單層的緩沖層的楊氏系數低于該封裝膠體的楊氏系數。

19.根據權利要求7所述的半導體封裝件的制法，其中，該單層的緩沖層為熱膨脹系數介于3至20ppm/℃或楊氏系數介于1至1000MPa的該有機聚合物。