[發(fā)明專利]集成電路裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310485976.8
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104022099A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 山田兼慈;君島秀樹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種集成電路裝置，包括：

互連電路，其具有第一導體和第二導體；以及

熔絲，其在所述第一導體和所述第二導體之間延伸并切選擇性地電互連所述第一導體和所述第二導體，其中所述熔絲包括

與所述第一導體電且物理接觸的第一端子部分；

與所述第二導體電且物理接觸的第二端子部分；以及

在所述第一端子部分和所述第二端子部分之間延伸的可切斷部分，

其中所述可切斷部分的體積至少比所述第一端子部分和所述第二端子部分的總體積小20倍。

2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分、所述第一端子部分和所述第二端子部分由能夠被激光消融的連續(xù)導電材料形成。

3.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分、第端子部分和第二端子部分嵌入在電介質(zhì)材料中。

4.根據(jù)權利要求3所述的集成電路裝置，其中阻擋層位于所述可切斷部分、所述第一端子部分和所述第二端子部分與所述電介質(zhì)材料之間。

5.根據(jù)權利要求4所述的集成電路裝置，其中所述阻擋層不覆蓋所述可切斷部分的上表面。

6.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分、所述第一端子部分、所述第二端子部分與所述第一導體和所述第二導體由連續(xù)導電性材料形成。

7.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，進一步包括至少布置在所述第一導體和所述第一端子部分之間的中間材料。

8.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述第一導體和所述第二導體中的至少一個是延伸至所述集成電路中的布線層的過孔。

9.根據(jù)權利要求8所述的集成電路裝置，其中所述過孔、所述端子部分和所述可切斷部分形成為雙大馬士革結構。

10.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分橫跨的所述第一端子部分與所述第二端子部分之間的距離比用于使所述可切斷部分的所述材料蒸發(fā)的激光點的尺寸大。

11.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分比所述端子部分薄。

12.根據(jù)權利要求所述1的集成電路裝置，其中所述端子部分的寬度大于所述可切斷部分的寬度。

13.一種集成電路裝置，包括：

熔絲，其具有一對端子部分，所述端子部分設置在可切斷部分的兩側(cè)上，如有需要通過激光照射來切斷所述可切斷部分，所述可切斷部分和所述一對端子部分一體形成，其中

所述端子部分的寬度大于所述可切斷部分的寬度，并且

所述一對端子部分的總體積是所述可切斷部分的體積的20倍或更多倍。

14.根據(jù)權利要求13所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分比所述端子部分薄。

15.根據(jù)權利要求13所述的集成電路裝置，其中所述可切斷部分和所述端子部分具有相同的厚度。

16.根據(jù)權利要求13所述的集成電路裝置，進一步包括連接至所述端子部分的布線線路，并且所述布線線路和所述熔絲一體形成。

17.根據(jù)權利要求16所述的集成電路裝置，其中所述布線線路和所述熔絲由連續(xù)導電性材料形成。

18.根據(jù)權利要求13所述的集成電路裝置，其中所述熔絲包括由銅制成的主體層以及覆蓋所述主體層的下表面和側(cè)表面的阻擋金屬層。

19.根據(jù)權利要求18所述的集成電路裝置，其中所述阻擋金屬層不覆蓋所述可切斷部分的上表面。