[發(fā)明專利]最佳噪聲系數(shù)的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310484734.7
• 申請(qǐng)日: 2013-10-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104569632A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃景豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G01R29/26
• 分類號(hào): G01R29/26
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種最佳噪聲系數(shù)的測(cè)試方法。

背景技術(shù)

在射頻集成電路中，如低噪聲放大器，器件的噪聲系數(shù)是非常重要的指標(biāo)；在4個(gè)噪聲參數(shù)中，最重要的參數(shù)就是最佳噪聲系數(shù)，這對(duì)電路的設(shè)計(jì)、器件的選擇具有指導(dǎo)作用。

但是在測(cè)試環(huán)節(jié)，目前測(cè)試高頻噪聲的方法主要有兩種，一種是測(cè)試50歐姆（Ohm）下的噪聲系數(shù)，不是最佳噪聲系數(shù)；另一種是用調(diào)諧器的方法及軟件相結(jié)合的方式測(cè)試噪聲參數(shù)，其中包括最佳噪聲系數(shù)，這種方法目前國(guó)內(nèi)測(cè)試資源少，設(shè)備價(jià)格昂貴，在片測(cè)試單管還容易引起震蕩，效率低下。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種最佳噪聲系數(shù)的測(cè)試方法，能使用50歐姆系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試并通過(guò)推算計(jì)算出器件的最佳噪聲系數(shù)，能克服測(cè)試資源少且設(shè)備昂貴缺點(diǎn)、從而能降低測(cè)試成本，還能不會(huì)引起器件振蕩、提高測(cè)試效率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的最佳噪聲系數(shù)的測(cè)試方法包括步驟：

步驟一、在硅片上制作測(cè)試結(jié)構(gòu)一、測(cè)試結(jié)構(gòu)二、測(cè)試結(jié)構(gòu)三、去嵌結(jié)構(gòu)和直通結(jié)構(gòu)。

所述測(cè)試結(jié)構(gòu)一包括兩個(gè)GSG測(cè)試端口和一個(gè)被測(cè)試器件，所述GSG測(cè)試端口表示地-信號(hào)-地測(cè)試端口，所述被測(cè)試器件的源端和第一GSG測(cè)試端口的信號(hào)端連接，所述被測(cè)試器件的信號(hào)輸出端和第二GSG測(cè)試端口的信號(hào)端連接。

所述測(cè)試結(jié)構(gòu)二在所述測(cè)試結(jié)構(gòu)一的基礎(chǔ)上增加了一串聯(lián)電阻，所述串聯(lián)電阻串聯(lián)在所述被測(cè)試器件的源端和所述第一GSG測(cè)試端口的信號(hào)端之間。

所述測(cè)試結(jié)構(gòu)三為在所述測(cè)試結(jié)構(gòu)二的基礎(chǔ)上去除了所述被測(cè)試器件的結(jié)構(gòu)，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)三的串聯(lián)電阻直接串聯(lián)在所述第一GSG測(cè)試端口和所述第二GSG測(cè)試端口的信號(hào)端之間。

所述去嵌結(jié)構(gòu)為在所述測(cè)試結(jié)構(gòu)一的基礎(chǔ)上去除了所述被測(cè)試器件以及所述被測(cè)試器件的連線的結(jié)構(gòu)。

所述直通結(jié)構(gòu)在所述測(cè)試結(jié)構(gòu)一的基礎(chǔ)上去除了所述被測(cè)試器件，在所述直通結(jié)構(gòu)的所述第一GSG測(cè)試端口和所述第二GSG測(cè)試端口的信號(hào)端之間通過(guò)一連線連接。

步驟二、用50歐姆系統(tǒng)測(cè)試所述測(cè)試結(jié)構(gòu)一的不同頻率下的第一噪聲系數(shù)。50歐姆系統(tǒng)即為源阻抗為50歐姆的噪聲系數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

用50歐姆系統(tǒng)測(cè)試所述測(cè)試結(jié)構(gòu)二的不同頻率下的第二噪聲系數(shù)。

測(cè)試所述測(cè)試結(jié)構(gòu)三的不同頻率下的第一散射參數(shù)。

測(cè)試所述去嵌結(jié)構(gòu)的不同頻率下的去嵌散射參數(shù)。

測(cè)試所述直通結(jié)構(gòu)的不同頻率下的直通散射參數(shù)。

步驟三、將所述第一噪聲系數(shù)結(jié)合所述去嵌散射參數(shù)和所述直通散射參數(shù)對(duì)所述第一噪聲系數(shù)進(jìn)行去嵌，得到所述被測(cè)試器件的去嵌后的第三噪聲系數(shù)。

將所述第二噪聲系數(shù)結(jié)合所述去嵌散射參數(shù)和所述直通散射參數(shù)對(duì)所述第二噪聲系數(shù)進(jìn)行去嵌，得到所述被測(cè)試器件和所述串聯(lián)電阻的去嵌后的第四噪聲系數(shù)。

將所述第一散射參數(shù)結(jié)合所述去嵌散射參數(shù)和所述直通散射參數(shù)對(duì)所述第一散射參數(shù)進(jìn)行去嵌，得到所述串聯(lián)電阻的去嵌后的第二散射參數(shù)。

步驟四、由級(jí)聯(lián)噪聲公式：

F′50_2=Fres+F′′50_2-1Gres,]]>計(jì)算出F''_{50_2}＝G_resF'_{50_2}。