[發(fā)明專利]最佳噪聲系數(shù)的測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310484734.7
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN104569632A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃景豐
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G01R29/26
• 分類號: G01R29/26
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種最佳噪聲系數(shù)的測試方法，其特征在于，包括步驟：

步驟一、在硅片上制作測試結(jié)構(gòu)一、測試結(jié)構(gòu)二、測試結(jié)構(gòu)三、去嵌結(jié)構(gòu)和直通結(jié)構(gòu)；

所述測試結(jié)構(gòu)一包括兩個GSG測試端口和一個被測試器件，所述GSG測試端口表示地-信號-地測試端口，所述被測試器件的源端和第一GSG測試端口的信號端連接，所述被測試器件的信號輸出端和第二GSG測試端口的信號端連接；

所述測試結(jié)構(gòu)二在所述測試結(jié)構(gòu)一的基礎(chǔ)上增加了一串聯(lián)電阻，所述串聯(lián)電阻串聯(lián)在所述被測試器件的源端和所述第一GSG測試端口的信號端之間；

所述測試結(jié)構(gòu)三為在所述測試結(jié)構(gòu)二的基礎(chǔ)上去除了所述被測試器件的結(jié)構(gòu)，所述測試結(jié)構(gòu)三的串聯(lián)電阻直接串聯(lián)在所述第一GSG測試端口和所述第二GSG測試端口的信號端之間；

所述去嵌結(jié)構(gòu)為在所述測試結(jié)構(gòu)一的基礎(chǔ)上去除了所述被測試器件以及所述被測試器件的連線的結(jié)構(gòu)；

所述直通結(jié)構(gòu)在所述測試結(jié)構(gòu)一的基礎(chǔ)上去除了所述被測試器件，在所述直通結(jié)構(gòu)的所述第一GSG測試端口和所述第二GSG測試端口的信號端之間通過一連線連接；

步驟二、用50歐姆系統(tǒng)測試所述測試結(jié)構(gòu)一的不同頻率下的第一噪聲系數(shù)；

用50歐姆系統(tǒng)測試所述測試結(jié)構(gòu)二的不同頻率下的第二噪聲系數(shù)；

測試所述測試結(jié)構(gòu)三的不同頻率下的第一散射參數(shù)；

測試所述去嵌結(jié)構(gòu)的不同頻率下的去嵌散射參數(shù)；

測試所述直通結(jié)構(gòu)的不同頻率下的直通散射參數(shù)；

步驟三、將所述第一噪聲系數(shù)結(jié)合所述去嵌散射參數(shù)和所述直通散射參數(shù)對所述第一噪聲系數(shù)進行去嵌，得到所述被測試器件的去嵌后的第三噪聲系數(shù)；

將所述第二噪聲系數(shù)結(jié)合所述去嵌散射參數(shù)和所述直通散射參數(shù)對所述第二噪聲系數(shù)進行去嵌，得到所述被測試器件和所述串聯(lián)電阻的去嵌后的第四噪聲系數(shù)；

將所述第一散射參數(shù)結(jié)合所述去嵌散射參數(shù)和所述直通散射參數(shù)對所述第一散射參數(shù)進行去嵌，得到所述串聯(lián)電阻的去嵌后的第二散射參數(shù)；

步驟四、由級聯(lián)噪聲公式：

F′50_2=Fres+F′′50_2-1Gres,]]>計算出F''_{50_2}＝G_resF'_{50_2}；

其中，F(xiàn)'_{50_2}表示所述第四噪聲系數(shù)，F(xiàn)_res表示所述串聯(lián)電阻的噪聲系數(shù)，所述第二散射參數(shù)為2×2矩陣，分別為所述第二散射參數(shù)的兩個元素，F(xiàn)_res和正好抵消；F''_{50_2}表示第五噪聲系數(shù)，所述第五噪聲系數(shù)為所述第四噪聲系數(shù)去掉了所述串聯(lián)電阻本身產(chǎn)生的噪聲后的噪聲系數(shù)；

步驟五、由公式計算出R_{n_1}；其中，R_{n_1}為第一等效噪聲電阻，w表示頻率，表示頻率為0時的所述第三噪聲系數(shù)，G₀表示源阻抗為50歐姆時的源電導(dǎo)；

由公式計算出R_{n_2}；其中，R_{n_2}為第二等效噪聲電阻，表示頻率為0時的所述第五噪聲系數(shù)；

步驟六、由公式計算得到|Y_{opt_1}|；其中，Y_{opt_1}表示第一最佳源導(dǎo)納，slope()為斜率函數(shù)，F(xiàn)'_{50_1}表示所述第三噪聲系數(shù)；

由公式計算得到|Y_{opt_2}|；其中，Y_{opt_2}表示第二最佳源導(dǎo)納；

步驟七、由如下兩個公式：

|Yopt_1|=(Gopt2+Bopt2)]]>和|Yopt_2|=[real(Yres)+Gopt]2+[imag(Yres)+Bopt]2]]>即可計算求得G_opt；其中G_opt表示最佳源電導(dǎo)，B_opt表示最佳源電納，Y_res表示所述串聯(lián)電阻的導(dǎo)納參數(shù)，Y_res由所述第二散射參數(shù)轉(zhuǎn)換得到；

步驟八、由公式F_min＝1+2R_{n_1}G_opt計算得到F_min，F(xiàn)_min表示最佳噪聲系數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的最佳噪聲系數(shù)的測試方法，其特征在于：所述頻率的范圍為6GHz以下。