[發(fā)明專利]用于薄膜電學(xué)性能測試的串聯(lián)平行板電容器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310483056.2 | 申請日: | 2013-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN103545107A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱小紅;任銀娟 | 申請(專利權(quán))人: | 四川大學(xué) |
| 主分類號: | H01G4/33 | 分類號: | H01G4/33;H01G4/38;H01G4/005;G01R31/00;G01R27/26 |
| 代理公司: | 成都科海專利事務(wù)有限責(zé)任公司 51202 | 代理人: | 劉雙蘭 |
| 地址: | 610065 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 薄膜 電學(xué) 性能 測試 串聯(lián) 平行 電容器 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于薄膜電學(xué)性能測試的串聯(lián)平行板電容器,包括上電極(1)、介電層(2)和下電極(3);其特征在于所述上電極(1)包括表面積不同的大上電極(4)和小上電極(5);其中,大上電極(4)、介電層(2)和下電極(3)構(gòu)成第一電容器(C1),小上電極(5)、介電層(2)和下電極(3)構(gòu)成第二電容器(C2);所述第一電容器(C1)與第二電容器(C2)為串聯(lián)結(jié)構(gòu),由此形成以大上電極(4)/介電層(2)/下電極(3)和小上電極(5)/介電層(2)/下電極(3)構(gòu)成用于薄膜電學(xué)性能測試的串聯(lián)平行板電容器;所述大上電極(4)和小上電極(5)均是在被測試薄膜上表面濺射形成的;測試時兩測試探針(6)分別接觸在大上電極(4)和小上電極(5)上,測試線(7)與外加電壓(V)連接即可進(jìn)行測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)平行板電容器,其特征在于所述表面積不同的大上電極(4)和小上電極(5)的面積至少相差100倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)平行板電容器,其特征在于所述大上電極(4)和小上電極(5)是采用設(shè)計好的掩膜板(15)覆蓋在薄膜上表面與薄膜表面緊密貼合,利用離子束濺射法濺射形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的串聯(lián)平行板電容器,其特征在于所述掩膜板(15)上分布著大小不同的孔,其中,第一孔(9)大于第二孔(10),第二孔(10)大于第三孔(11),第三孔(11)大于第四孔(12),第四孔(12)大于第五孔(13);第一孔(9)與第三孔(11)、第四孔(12)、第五孔(13)的三組孔面積至少相差100倍,第二孔(10)與第五孔(13)的一組孔面積至少也相差100倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的串聯(lián)平行板電容器,其特征在于所述掩膜板(15)上大小不同的孔按周期性規(guī)律分布,其中一個周期(8)的孔分布中,兩個第一孔(9)和兩個第二孔(10)在行和列上交替分布,且兩個第一孔(9)周圍均嵌套有第五孔(13)構(gòu)成的圓環(huán),第二孔(10)周圍嵌套有第三孔(11)構(gòu)成的圓環(huán)和第四孔(12)構(gòu)成的圓環(huán)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的串聯(lián)平行板電容器,其特征在于所述掩膜板(15)上大小不同的孔為圓形、或長方形、或正方形;所述掩膜板(15)覆蓋在薄膜上表面濺射形成的大上電極(4)和小上電極(5)的形狀、面積大小分別與掩膜板(15)上大小孔的設(shè)計形狀、孔面積相對應(yīng)。
7.一種用于薄膜電學(xué)性能測試的串聯(lián)平行板電容器的制備方法,其特征在于采用設(shè)計好的掩膜板(15),利用傳統(tǒng)離子束濺射法在作為介電層(2)的薄膜上表面濺射形成表面積不同的大上電極(4)和小上電極(5),以襯底(14)上表面的導(dǎo)電層作為下電極(3),包括以下工藝步驟:
(1)首先采用傳統(tǒng)溶膠-凝膠法制備薄膜,再將設(shè)計好的具有大小不同孔的掩膜板(15)覆蓋在制備好的薄膜上表面,使掩膜板(15)上大小不同的孔分布在薄膜表面上方,濺射過程中保持掩膜板(15)與薄膜表面緊密貼合;
(2)將步驟(1)中覆蓋有掩膜板(15)且生長了薄膜的襯底(14)放在離子束濺射儀的載樣臺上,然后接通濺射儀電源、調(diào)節(jié)好濺射儀參數(shù)開始濺射;
(3)濺射完成后,移去掩膜板(15),取出樣品,此時在作為介電層(2)的薄膜表面上形成了表面積不同的大上電極(4)和小上電極(5);
(4)將上述在薄膜表面上形成的大上電極(4)和小上電極(5)分別與介電層(2)、下電極(3)構(gòu)成第一電容器(C1)和第二電容器(C2),兩電容器為串聯(lián)結(jié)構(gòu);則形成以大上電極(4)/介電層(2)/下電極(3)和小上電極(5)/介電層(2)/下電極(3)構(gòu)成的串聯(lián)平行板電容器;測試時將兩測試探針(6)分別接觸在大上電極(4)和小上電極(5)上,測試線(7)接通外加電壓(V),即能對薄膜電學(xué)性能進(jìn)行測試。
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