[發明專利]基板保持裝置、具備其之曝光裝置、方法

在審

• 申請號: 201310481917.3
• 申請日: 2005-06-08
• 公開（公告）號: CN103558737A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 柴崎祐一
• 申請（專利權）人: 尼康股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

本申請是分案申請，原案的申請號為2011101674239，申請日為2005年6月8日，發明名稱為基板保持裝置、具備其之曝光裝置、元件制造方法。原案也是分案申請，原案對應的母案的申請號為200580018933.2，申請日為2005年6月8日，發明名稱為基板保持裝置、具備其之曝光裝置及方法、元件制造方法、撥液片。

技術領域

本發明是有關于保持處理基板的基板保持裝置及具備該裝置的曝光裝置以及元件制造方法。

背景技術

半導體元件或液晶顯示元件，是借由將形成于掩模上的圖案轉印于感旋光性基板上、即所謂的微影方法來制造。此微影步驟所使用的曝光裝置，具有支撐掩模的掩模載臺與支撐基板的基板載臺，使掩模載臺與基板載臺一邊逐次移動一邊通過投影光學系統將掩模的圖案轉印于基板。近年來，為對應元件圖案的更高積體化，而期待投影光學系統具有更高分辨率。投影光學系統的分辨率，是所使用的曝光波長越短、或投影光學系統的數值孔徑越大則會越提高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長逐年變短，投影光學系統的數值孔徑則逐漸增大。目前主流的曝光波長雖為KrF準分子激光的248nm，但波長更短的ArF準分子激光的193nm亦逐漸實用化。進行曝光時，焦深(DOF)亦與分辨率同樣重要。分辨率R及焦深δ分別以下式表示。

R=k₁·λ／NA………(1)

δ=±k₂·λ／NA²……(2)

此處，λ為曝光波長，NA為投影光學系統的數值孔徑，k₁、k₂是處理系數。從(1)式、(2)式可知，為了提高分辨率R，而縮短曝光波長λ、增大數值孔徑NA時，即會使焦深δ變窄。

若焦深δ變得過窄，即難以使基板表面與投影光學系統的像面一致，有進行曝光動作時焦點裕度不足的缺點。因此，作為實質上縮短曝光波長且擴大焦深的方法，例如已提出一種國際公開第99／49504號公報所揭示的液浸法。此液浸法，是以水或有機溶媒等液體充滿投影光學系統下面與基板表面間來形成液浸區域，利用液體中的曝光用光的波長為在空氣中的1／n倍(n為液體折射率，通常是1.2～1.6左右)，來提高分辨率，且將焦深放大至約n倍。

然而，如圖18所示，對基板P進行液浸曝光時，會產生液浸區域AR2’(覆蓋投影光學系統的投影區域AR1’)的一部分或全部形成于基板P外側的情形。此時，由于基板P周圍的基板載臺PST’上面與液體接觸，因此容易使形成該基板載臺PST’上面的構件(或其被膜)產生劣化或破損。當產生此種劣化或破損時，由于需進行基板載臺PST’的交換或修復等維修作業，因此會使曝光裝置的運轉率降低。

在將液浸區域AR2’一部分形成于基板P外側的狀態下使基板P邊緣區域曝光時，液體即有可能會通過基板與基板載臺間的間隙等回流至基板背面側，滲入基板與基板載臺(基板保持具)之間。此時，會產生基板載臺無法良好地保持基板的可能性。例如，由于滲入基板背面與基板載臺間的液體會產生異物的作用，因此有可能導致所支撐的基板的平坦度劣化?；蛞嗄芟胍姇蛩鶟B入的液體氣化而形成附著痕跡(即水痕)。由于該水痕亦產生異物的作用，因此可能導致所支撐的基板的平坦度劣化。亦有可能因滲入基板與基板載臺間的液體氣化時的氣化熱，而使基板載臺產生熱變形等不良情形。

發明內容

本發明有鑒于上述情形，其目的是提供能容易執行維修作業的基板保持裝置、曝光裝置以及使用該曝光裝置的元件制造方法。又，本發明的目的是提供適用于液浸曝光裝置的撥液片。再者，本發明的目的是提供能防止液體滲入基板背面側的基板保持裝置、曝光裝置、以及使用該曝光裝置的元件制造方法。

為解決上述問題，本發明采用了對應實施例所示的圖1～圖17的下述構成。不過，付加于各要素的包含括號的符號僅是該要素的例示，而并非限定各要素。

根據本發明的第1態樣，提供一種基板保持裝置(PH)，用以保持處理基板(P)，其特征在于，具備：基材(PHB)；第1保持部(PH1)，形成于基材(PHB)，用以吸附保持處理基板(P)；以及第2保持部(PH2)，形成于基材(PHB)，用以將板體(T)吸附保持于被第1保持部(PH1)吸附保持的處理基板(P)附近。