[發明專利]試樣鑲嵌裝置

有效

• 申請號: 201310481344.4
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN103487312A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 蔡曉文;吳安術;陳義;張洪俊;陳容;劉錦燕;陳述
• 申請（專利權）人: 攀鋼集團攀枝花鋼鐵研究院有限公司
• 主分類號: G01N1/36
• 分類號: G01N1/36
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 譚昌馳;劉燦強

1.一種試樣鑲嵌裝置，所述試樣鑲嵌裝置包括：

鑲嵌盒，鑲嵌盒的底部具有用于容納試樣的凹槽；

第一屏蔽盒，設置在鑲嵌盒的側部，第一屏蔽盒具有第一開口，所述第一開口面對鑲嵌盒的側壁，第一屏蔽盒中設置有電磁鐵，電磁鐵的磁場通過第一開口擴散到第一屏蔽盒外部；以及

第二屏蔽盒，設置在鑲嵌盒的下方，第二屏蔽盒具有第二開口，所述第二開口對應于鑲嵌盒的凹槽，第二屏蔽盒中設置有強磁體，強磁體磁場通過第二開口擴散到第二屏蔽盒外部，

其中，電磁鐵的磁場強度是可變的，并且第一屏蔽盒與鑲嵌盒之間的相對位置是可調節的。

2.如權利要求1所述的試樣鑲嵌設備，所述試樣鑲嵌設備還包括可移動平臺，第一屏蔽盒設置在所述可移動平臺上，可移動平臺移動來改變第一屏蔽盒與鑲嵌盒之間的相對位置。

3.如權利要求1所述的試樣鑲嵌設備，其中，電磁鐵的驅動電路中包括可變電阻箱，以通過改變電磁鐵中的電流來調整電磁鐵的磁場強度。

4.如權利要求1所述的試樣鑲嵌設備，其中，第一屏蔽盒和第二屏蔽盒由硅鋼制成，以屏蔽容納在其中的電磁鐵或強磁體的磁場。

5.一種試樣鑲嵌方法，該方法包括下述步驟：

將試樣放置到鑲嵌盒底部的凹槽中，利用設置在鑲嵌盒底部的第二屏蔽盒中的強磁體使試樣吸附到鑲嵌盒底部；

向鑲嵌盒中加入環氧樹脂和固化劑；

調整試樣的傾斜角度，使試樣的待檢測面與鑲嵌盒的底表面平行；

調整設置在鑲嵌盒的一側的第一屏蔽盒中的電磁鐵的位置和/或磁場強度，使試樣能夠穩定地保持在調整好的傾斜角度；以及

待環氧樹脂固化后，移除第一屏蔽盒和第二屏蔽盒，以完成試樣鑲嵌。

6.如權利要求5所述的方法，其中，通過改變電磁鐵中的電流來調整電磁鐵的磁場強度。

7.如權利要求5所述的方法，其中，第一屏蔽盒和第二屏蔽盒由硅鋼制成，以屏蔽容納在其中的電磁鐵或強磁體的磁場。

8.如權利要求7所述的方法，第一屏蔽盒和第二屏蔽盒均具有朝向鑲嵌盒的開口，以使容納在其中的電磁鐵或強磁體的磁場擴散到第一屏蔽盒和第二屏蔽盒的外部。