[發(fā)明專(zhuān)利]試樣鑲嵌裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310481344.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103487312A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡曉文;吳安術(shù);陳義;張洪俊;陳容;劉錦燕;陳述 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 攀鋼集團(tuán)攀枝花鋼鐵研究院有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N1/36 | 分類(lèi)號(hào): | G01N1/36 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 譚昌馳;劉燦強(qiáng) |
| 地址: | 617000 四*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 試樣 鑲嵌 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種試樣鑲嵌裝置,更具體地說(shuō),涉及一種能夠容易地調(diào)整試樣的傾斜角度的試樣鑲嵌裝置。
背景技術(shù)
在鋼鐵材料金相檢驗(yàn)及失效分析工作中,若試樣過(guò)于細(xì)薄(如薄板、細(xì)線材、細(xì)管材等)或試樣過(guò)軟、易碎、或需檢驗(yàn)邊緣組織、或者為便于在自動(dòng)磨光和拋光機(jī)上研磨的試樣,需采用的一定的方法對(duì)試樣進(jìn)行鑲嵌。其中,鑲嵌方法包括熱鑲和冷鑲。對(duì)于失效分析的試樣,鑲嵌方法的選擇尤其重要。通常,為了不改變失效分析部位的組織形態(tài),一般選擇冷鑲,即以環(huán)氧樹(shù)脂配以一定比例的固化劑二乙胺,在空氣中放置幾小時(shí)后便可固化。
在實(shí)驗(yàn)室的常規(guī)檢驗(yàn)中有一部分需要檢驗(yàn)的金屬面與鄰近的基體金屬面并不在一個(gè)平面上,而是呈現(xiàn)一定的傾斜角。因此,如果用普通的鑲嵌工藝進(jìn)行處理,得到的圖片結(jié)果往往模糊不清,不能清楚地顯示試樣的情況。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中使用的鑲嵌盒,該鑲嵌盒100為PP材料制成的無(wú)蓋小方盒。鑲嵌鋼樣時(shí)一般將待檢鋼樣120豎直放置,將待檢試樣的樣面朝下,置于小方盒內(nèi)。若樣面過(guò)小,無(wú)法豎直放置,則采用在待檢樣面兩側(cè)各放置一個(gè)具有一定寬度的鋼樣130作為支撐,將待檢試樣置于正中間,然后進(jìn)行后續(xù)的鑲嵌、固化工作。但是,如上述多數(shù)失效分析的待檢樣面與基體橫向或縱向面并不在一個(gè)平面,若依然利用該鑲嵌盒進(jìn)行鑲嵌則會(huì)出現(xiàn)上面所說(shuō)的結(jié)果模糊不清的結(jié)果。因此,這種鑲嵌盒無(wú)法滿足實(shí)際實(shí)驗(yàn)的需要,因而在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中收到限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種試樣鑲嵌裝置,所述試樣鑲嵌裝置包括:鑲嵌盒,鑲嵌盒的底部具有用于容納試樣的凹槽;第一屏蔽盒,設(shè)置在鑲嵌盒的側(cè)部,第一屏蔽盒具有第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口面對(duì)鑲嵌盒的側(cè)壁,第一屏蔽盒中設(shè)置有電磁鐵,電磁鐵的磁場(chǎng)通過(guò)第一開(kāi)口擴(kuò)散到第一屏蔽盒外部;以及第二屏蔽盒,設(shè)置在鑲嵌盒的下方,第二屏蔽盒具有第二開(kāi)口,所述第二開(kāi)口對(duì)應(yīng)于鑲嵌盒的凹槽,第二屏蔽盒中設(shè)置有強(qiáng)磁體,強(qiáng)磁體磁場(chǎng)通過(guò)第二開(kāi)口擴(kuò)散到第二屏蔽盒外部,其中,電磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度是可變的,并且第一屏蔽盒與鑲嵌盒之間的相對(duì)位置是可調(diào)節(jié)的。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,所述試樣鑲嵌設(shè)備還可包括可移動(dòng)平臺(tái),第一屏蔽盒可設(shè)置在所述可移動(dòng)平臺(tái)上,可移動(dòng)平臺(tái)移動(dòng)來(lái)改變第一屏蔽盒與鑲嵌盒之間的相對(duì)位置。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,電磁鐵的驅(qū)動(dòng)電路中可以包括可變電阻箱,以通過(guò)改變電磁鐵中的電流來(lái)調(diào)整電磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,第一屏蔽盒和第二屏蔽盒可由硅鋼制成,以屏蔽容納在其中的電磁鐵或強(qiáng)磁體的磁場(chǎng)。
本發(fā)明的另一方面公開(kāi)了一種試樣鑲嵌方法,該方法包括下述步驟:將試樣放置到鑲嵌盒底部的凹槽中,利用設(shè)置在鑲嵌盒底部的第二屏蔽盒中的強(qiáng)磁體使試樣吸附到鑲嵌盒底部;向鑲嵌盒中加入環(huán)氧樹(shù)脂和固化劑;調(diào)整試樣的傾斜角度,使試樣的待檢測(cè)面與鑲嵌盒的底表面平行;調(diào)整設(shè)置在鑲嵌盒的一側(cè)的第一屏蔽盒中的電磁鐵的位置和/或磁場(chǎng)強(qiáng)度,使試樣能夠穩(wěn)定地保持在調(diào)整好的傾斜角度;以及待環(huán)氧樹(shù)脂固化后,移除第一屏蔽盒和第二屏蔽盒,以完成試樣鑲嵌。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,可通過(guò)改變電磁鐵中的電流來(lái)調(diào)整電磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,第一屏蔽盒和第二屏蔽盒可由硅鋼制成,以屏蔽容納在其中的電磁鐵或強(qiáng)磁體的磁場(chǎng)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,第一屏蔽盒和第二屏蔽盒均可具有朝向鑲嵌盒的開(kāi)口,以使容納在其中的電磁鐵或強(qiáng)磁體的磁場(chǎng)擴(kuò)散到第一屏蔽盒和第二屏蔽盒的外部。
利用根據(jù)本發(fā)明的試樣鑲嵌裝置和鑲嵌方法,在鑲嵌的過(guò)程中,可將切取的缺陷試樣傾斜一定角度鑲嵌,即在環(huán)氧樹(shù)脂固化之前的一定時(shí)間內(nèi)保持此角度不變,以確保試樣的待檢測(cè)面與鑲嵌水平面平行,便可在鑲嵌樣磨制后更好地觀察需要檢驗(yàn)的金屬面,得到更真實(shí)、清晰的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
附圖說(shuō)明
通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的對(duì)實(shí)施例的描述,本發(fā)明的上述和/或其他目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚,其中:
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中使用的鑲嵌盒的示意圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的試樣鑲嵌裝置中使用的鑲嵌盒的示意性透視圖;
圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的試樣鑲嵌裝置中使用的第二屏蔽盒的示意性透視圖;
圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的待檢試樣在試樣鑲嵌裝置中的受力情況示意圖。
具體實(shí)施方式
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