[發明專利]一種FinFET及其制造方法

有效

• 申請號: 201310479356.3
• 申請日: 2013-10-14
• 公開（公告）號: CN104576386B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 尹海洲;劉云飛
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙)11370
• 代理人: 朱海波

1.一種FinFET制造方法，包括：

a.提供襯底(100)；

b.在所述襯底上形成鰭片(200)；

c.形成位于所述鰭片(200)上方溝道保護層(300)；

d形成位于所述鰭片(200)兩側的淺溝槽隔離結構(400)；

e.在所述鰭片(200)中部的溝道上方和側面形成偽柵疊層(500)和側墻(505)；

f.在鰭片(200)兩端分別形成源漏區；

g.淀積層間介質層以覆蓋所述偽柵疊層和所述源漏區，進行平坦化，露出偽柵疊層；

h.去除所述偽柵疊層(500)，形成偽柵空位，露出位于鰭片(200)中部的溝道以及溝道保護層(300)；

i.在h步驟后得到的半導體結構中鰭片的一側覆蓋光刻膠(550)；

j.去除或減薄未被光刻膠(550)覆蓋一側的側墻(505)；

k.去除光刻膠，并在所述偽柵空位中填充柵極疊層(600)；

l.對k步驟后得到的半導體進行平坦化處理，暴露出溝道保護層(300)，形成第一分立柵疊層(600a)和第二分立柵疊層(600b)。

2.根據權利要求1所述的制造方法，所述溝道保護層(300)的材料為二氧化硅和/或氮化硅。

3.根據權利要求1所述的制造方法，所述側墻(505)的材料為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的制造方法，所述側墻(505)的厚度為7～15nm。

5.根據權利要求1所述的制造方法，去除所述側墻(505)的方法為各向同性刻蝕干法刻蝕。

6.根據權利要求1所述的制造方法，所述第二分立柵疊層(600b)的寬度大于位于鰭片(200)另一側的第一分立柵疊層(660b)的寬度。

7.一種FinFET結構，包括：

襯底(100)；

位于所述襯底(100)上方的鰭片(200)；

位于所述鰭片(200)上方溝道保護層(300)；

位于所述鰭片(200)兩端的源漏區；

位于所述鰭片(200)兩側的淺溝槽隔離結構(400)；

位于所述鰭片(200)兩側，覆蓋所述淺溝槽隔離結構(400)的層間介質層(450)；

位于所述鰭片(200)一側的第一分立柵疊層(600a)和位于所述鰭片(200)另一側的第二分立柵疊層(600b)，其中所述第二分立柵疊層(600b)的寬度大于所述第一分立柵疊層(600a)的寬度；

在所述第一分立柵疊層(600a)與層間介質層(450)之間具有側墻(505)，在所述第二分立柵疊層(600b)與所述層間介質層(450)之間沒有側墻。

8.根據權利要求7所述的FinFET結構，所述所述溝道保護層(300)的材料為二氧化硅和/或氮化硅。

9.根據權利要求7所述的FinFET結構，所述側墻(505)的材料為氮化硅。

10.根據權利要求7所述的FinFET結構，所述側墻(505)的厚度為7～15nm。