[發(fā)明專利]采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的PowerClamp

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310477495.2
• 申請日: 2013-10-14
• 公開（公告）號: CN103515944B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡小五;高哲;閆明;梁超;魏俊秀;呂川
• 申請（專利權(quán)）人: 遼寧大學(xué)
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 沈陽杰克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司21207
• 代理人: 金春華

1.采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的Power?Clamp，包括在VDD（1）和VSS（2）之間設(shè)有RC觸發(fā)的檢測電路，其特征在于：所述的檢測電路包括PMOS1（3）、NMOS1（4）、電阻R2（5）和BigFET（6），并具有Filter節(jié)點(diǎn)（?7）、INV1OUT節(jié)點(diǎn)（8）、INV2OUT節(jié)點(diǎn)（9）和BigFET柵節(jié)點(diǎn)（10）；R1和C構(gòu)成ESD監(jiān)測電路，放在VDD（1）和VSS（2）之間，反相器Ⅰ（11）放在RC監(jiān)測電路之后，反相器Ⅰ（11）的輸入端和Filter節(jié)點(diǎn)（7）相連，輸出端和反相器Ⅱ（12）相連，反相器Ⅱ（12）的輸出端和PMOS1（3）的柵相連，NMOS1（4）的柵接地，NMOS1（4）的漏和PMOS1（3）的漏相連然后接BIGFET（6）的柵，BIGFET（6）的柵同時(shí)通過電阻R2（5）接地。

2.如權(quán)利要求1所述的采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的Power?Clamp，其特征在于：所述的PMOS1（3）用于在ESD脈沖到達(dá)初期，PMOS1（3）開啟，BigFET柵節(jié)點(diǎn)（10）為高電壓，BigFET（6）開啟泄放ESD電流。

3.如權(quán)利要求1所述的采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的Power?Clamp，其特征在于：所述的?NMOS1（4）用于在ESD脈沖到達(dá)，過了RC時(shí)間常數(shù)之后，仍然保持BigFET（6）開啟泄放ESD電流。

4.如權(quán)利要求1所述的采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的Power?Clamp，其特征在于：所述的電阻R2（5）用于在電路正常上電的情況下，使BigFET柵節(jié)點(diǎn)（10）電壓為低電平，BigFET（6）關(guān)閉，不會產(chǎn)生漏電。

5.如權(quán)利要求1所述的采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的Power?Clamp，其特征在于：RC檢測電路的RC時(shí)間常數(shù)設(shè)置為10-50ns。

6.如權(quán)利要求5所述的采用雙通道技術(shù)的用于電源和地之間ESD保護(hù)的Power?Clamp，其特征在于：RC檢測電路的RC時(shí)間常數(shù)設(shè)置為20ns。