[發明專利]TFT陣列基板、制造方法及其顯示面板

有效

• 申請號: 201310476913.6
• 申請日: 2013-10-14
• 公開（公告）號: CN103943628A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 樓均輝
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及顯示器件領域，特別是TFT陣列基板、TFT陣列基板的制造方法以及采用該TFT陣列基板的顯示面板。

背景技術

TFT陣列基板中，集成了多個薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor,TFT），以驅動LCD或者OLED顯示面板中的像素點，再配合外圍驅動電路，實現顯示面板的圖像顯示。因此，TFT是控制發光的開關，是實現圖像顯示的關鍵因素，直接關系到顯示面板的發展方向。然而，現有顯示面板技術的TFT陣列基板中，其存儲電容區域與柵絕緣層疊加，導致不同介質層疊形成的結構厚度較厚，相應地降低了存儲電容的電容值，使得電容不足、寄生電容增多，影響了圖像顯示質量。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種，其有效避免了由于現有技術的限制和缺陷導致的一個或更多的問題。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案之一為：一種TFT陣列基板，其包括：第一電極層、第二電極層、絕緣層和刻蝕阻擋層；所述陣列基板包含存儲電容區域，所述存儲電容由第一電極層、刻蝕阻擋層和第二電極層依次層疊而組成。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案之二為：一種TFT陣列基板，其包括：第一電極層、第二電極層、絕緣層和刻蝕阻擋層；所述陣列基板包含TFT區域和存儲電容區域，所述存儲電容區域包括依次層疊設置的第一電極層、絕緣層、刻蝕阻擋層和第二電極層，所述存儲電容區域位于所述第一電極層上方的至少部分絕緣層厚度小于TFT區域位于所述第一電極層上方的絕緣層厚度。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案之三為：其包括以下步驟：提供一塊基板，在基板上形成第一電極層和絕緣層；刻蝕存儲電容區域中的絕緣層；在絕緣層被刻蝕處形成刻蝕阻擋層；在刻蝕阻擋層之上設置第二電極層。

本發明提供了一種TFT陣列基板及其制造方法，于第一電極層上設置絕緣層，在絕緣層上刻蝕時，刻光或減薄部分絕緣層，然后直接形成刻蝕阻擋層于被刻蝕的相應位置；與傳統結構的存儲電容相比，消除或者減薄了絕緣層的厚度，以降低存儲電容的整體厚度，相應提高了存儲電容的電容值，并減少了寄生電容的干擾。

附圖說明

圖1為本發明第一實施例中TFT陣列基板的剖面結構示意圖。

圖2為本發明第一實施例中TFT陣列基板的制造方法示意圖。

圖3為本發明第一實施例中TFT陣列基板的制造方法示意圖。

圖4為本發明第一實施例中TFT陣列基板的制造方法示意圖。

圖5為本發明第一實施例中TFT陣列基板的制造方法示意圖。

圖6為本發明第一實施例中TFT陣列基板的制造方法流程圖。

圖7為本發明第二實施例中TFT陣列基板的剖面結構示意圖。

圖8為本發明第二實施例中TFT陣列基板的制造方法流程圖。

具體實施方式

本發明第一實施例所提供的TFT陣列基板100及其制造方法，請參考圖1至圖6。

圖1為TFT陣列基板100的剖面結構示意圖。為了說明的方便，TFT陣列基板100按其功能，包含三個區域，即TFT區域A、存儲電容區域B和驅動電路區域C。TFT陣列基板100從結構上，包括：基板10、第一電極層22、24和26、絕緣層30、半導體層40、刻蝕阻擋層52和54以及第二電極層62、64和66。

第一電極層分別設于TFT區域A、存儲電容區域B和驅動電路區域C，分別標識為22、24和26。第一電極層的材料可以為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、銅、鈦、鎳、鉻、或它們的復合層。TFT區域A中，第一電極層22為柵極。存儲電容區域B中，第一電極層24的上表面包括兩個第一區域242和一個第二區域244。第一區域242分別位于第一電極層24上表面的兩側；第二區域244位于第一電極層24上表面的中間。驅動電路區域C中，第一電極層26的上表面包括兩個第三區域262和一個第四區域264。第三區域262分別位于第一電極層26上表面的兩側；第二區域264位于第一電極層26上表面的中間。第一電極層22、24和26在TFT區域A、存儲電容區域B和驅動電路區域C這三個區域中均位于同層。