[發(fā)明專利]TFT陣列基板、制造方法及其顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310476913.6 | 申請日： | 2013-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN103943628A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樓均輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201201 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | tft 陣列 制造 方法 及其 顯示 面板 | ||
1.一種TFT陣列基板，其包括：第一電極層、第二電極層、絕緣層和刻蝕阻擋層；
所述陣列基板包含存儲電容區(qū)域，其中所述存儲電容區(qū)域中，存儲電容包括依次層疊的該第一電極層、該刻蝕阻擋層和該第二電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述存儲電容區(qū)域中，所述第一電極層在所述存儲電容區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域設(shè)置絕緣層，所述刻蝕阻擋層設(shè)于第二區(qū)域及部分絕緣層之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層與第一、第二電極層直接接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包含TFT區(qū)域和驅(qū)動電路區(qū)域，所述驅(qū)動電路區(qū)域包括：與TFT區(qū)域同層設(shè)置的第一電極層、絕緣層和第二電極層；所述第一電極層在所述驅(qū)動電路區(qū)域包括第三區(qū)域和第四區(qū)域，所述絕緣層設(shè)于所述第三區(qū)域，第二電極層設(shè)于所述第四區(qū)域和部分絕緣層之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT區(qū)域中，所述第一電極層包括柵極，所述第二電極層包括源極和漏極，所述絕緣層設(shè)于第一電極層之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT區(qū)域中，還包括半導(dǎo)體層，其位于所述絕緣層與刻蝕阻擋層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層為金屬氧化物、非晶硅或者多晶硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，在所述存儲電容區(qū)域和驅(qū)動電路區(qū)域，分別設(shè)置通孔于第一、二電極層之間，所述通孔分別貫穿所述存儲電容區(qū)域和驅(qū)動電路區(qū)域的絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層設(shè)于存儲電容區(qū)域的通孔上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層比所述TFT區(qū)域的絕緣層薄，所述刻蝕阻擋層的厚度為
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，所述存儲電容區(qū)域位于所述第一電極層上方的至少部分絕緣層厚度小于TFT區(qū)域位于所述第一電極層上方的絕緣層厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包含驅(qū)動電路區(qū)域，其包括：均與TFT區(qū)域同層設(shè)置的第一電極層，絕緣層和第二電極層；所述絕緣層上設(shè)有通孔，以使所述第一電極層和第二電極層電連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述存儲電容區(qū)域至少部分絕緣層厚度是TFT區(qū)域絕緣層厚度的10%～90%。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述存儲電容區(qū)域的刻蝕阻擋層比所述TFT區(qū)域的絕緣層薄，厚度為
15.一種顯示面板，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
16.一種TFT陣列基板的制造方法，包括以下步驟：
提供一基板，在所述基板上依次形成第一電極層和絕緣層；
刻蝕存儲電容區(qū)域中的所述絕緣層；
在所述絕緣層被刻蝕處形成刻蝕阻擋層；
在所述刻蝕阻擋層之上形成第二電極層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述存儲電容區(qū)域的絕緣層被刻蝕以形成通孔或者被減薄厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括步驟：刻蝕驅(qū)動電路區(qū)域的絕緣層以形成通孔。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
