[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201310476473.4
• 申請日: 2013-10-12
• 公開（公告）號: CN104576650A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 李田生;謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張穎玲;孟桂超

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。在TFT-LCD行業中，高級超維場轉換（Advanced?super?Dimension?Switch，ADSDS）型薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）面內電場驅動模式的TFT-LCD產品，不但可提高TFT-LCD產品的畫面品質，而且具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（Push?Mura）等優點，ADSDS型TFT-LCD產品已經成為主流產品。

陣列基板的柵極驅動（Gate?Driver?on?Array，GOA）技術是將形成柵極驅動電路的TFT集成于陣列基板上，從而省掉柵極驅動集成電路部分，從材料成本和工藝步驟兩個方面來降低產品的成本。

目前，在TFT-LCD行業中，一方面為了使TFT-LCD產品具有較好的視覺效果，即：每英寸所擁有的像素（Pixels?Per?Inch，PPI）數目盡可能的高，另一方面為了能夠降低產品的成本而采用GOA技術，因此，當制備高PPI并且采用GOA技術的陣列基板時，一般需要通過七次掩模工藝才能完成。然而，掩模工藝的成本和復雜度都很高，掩模的應用次數越多其制造成本就會越高，而且產品質量也越難保證。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例的主要目的在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，可在現有工藝基礎上減少一次掩模工藝次數，從而能降低制造成本和提高產品良品率。

為達到上述目的，本發明實施例的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板以及在襯底基板上形成的柵極的圖案、柵極絕緣層的圖案、像素電極的圖案、歐姆接觸層的圖案、有源層的圖案、源漏電極的圖案，其中，所述像素電極的圖案位于柵極絕緣層的圖案和歐姆接觸層的圖案之間。

優選地，所述柵極絕緣層的圖案位于柵極的圖案和像素電極的圖案之間；所述歐姆接觸層的圖案位于有源層的圖案和像素電極的圖案之間。

優選地，所述陣列基板具體包括：襯底基板以及在襯底基板上依次形成的柵極的圖案、柵極絕緣層的圖案、像素電極的圖案、歐姆接觸層的圖案、有源層的圖案和源漏電極的圖案。

優選地，所述陣列基板還包括：在源漏電極的圖案上方依次形成的鈍化層的圖案以及公共電極的圖案。

本發明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板為上述所述的陣列基板，所述方法包括：在襯底基板上制作柵極的圖案、柵極絕緣層的圖案、像素電極的圖案、歐姆接觸層的圖案、有源層的圖案、源漏電極的圖案，其中，通過一次掩模工藝形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案。

優選地，通過一次掩模工藝形成有源層的圖案和柵極絕緣層的圖案。

優選地，所述方法具體包括：

通過第一次掩模工藝在襯底基板上形成柵極的圖案；

通過第二次掩模工藝形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案；

通過第三次掩模工藝形成有源層的圖案和柵極絕緣層的圖案；

通過第四次掩模工藝形成源漏電極的圖案。

優選地，所述方法還包括：

通過第五次掩模工藝形成鈍化層的圖案；

通過第六次掩模工藝形成公共電極的圖案。

優選地，所述通過一次掩模工藝形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案，具體包括：

依次形成像素電極薄膜和歐姆接觸層薄膜；

在歐姆接觸層薄膜上方涂覆光刻膠，利用半曝光掩模板進行曝光、顯影后在對應源漏電極的區域形成光刻膠完全保留區域，在對應像素電極的區域形成光刻膠半保留區域，在其余區域形成光刻膠完全去除區域；

通過第一次刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區域的像素電極薄膜和歐姆接觸層薄膜；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，通過第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區域的歐姆接觸層薄膜；

通過剝離工藝去除光刻膠完全保留區域的光刻膠。

優選地，所述通過一次掩模工藝形成有源層的圖案和柵極絕緣層的圖案，具體包括：