[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201310476473.4
• 申請日: 2013-10-12
• 公開（公告）號: CN104576650A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 李田生;謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張穎玲;孟桂超

1.一種陣列基板，包括襯底基板以及在襯底基板上形成的柵極的圖案、柵極絕緣層的圖案、像素電極的圖案、歐姆接觸層的圖案、有源層的圖案、源漏電極的圖案，其特征在于，

所述像素電極的圖案位于柵極絕緣層的圖案和歐姆接觸層的圖案之間。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述柵極絕緣層的圖案位于柵極的圖案和像素電極的圖案之間；

所述歐姆接觸層的圖案位于有源層的圖案和像素電極的圖案之間。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，具體包括：

襯底基板以及在襯底基板上依次形成的柵極的圖案、柵極絕緣層的圖案、像素電極的圖案、歐姆接觸層的圖案、有源層的圖案和源漏電極的圖案。

4.根據權利要求1至3任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

在源漏電極的圖案上方依次形成的鈍化層的圖案以及公共電極的圖案。

5.一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板為如權利要求1-4任一項所述的陣列基板，所述方法包括：在襯底基板上制作柵極的圖案、柵極絕緣層的圖案、像素電極的圖案、歐姆接觸層的圖案、有源層的圖案、源漏電極的圖案，其特征在于，通過一次掩模工藝形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，

通過一次掩模工藝形成有源層的圖案和柵極絕緣層的圖案。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法具體包括：

通過第一次掩模工藝在襯底基板上形成柵極的圖案；

通過第二次掩模工藝形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案；

通過第三次掩模工藝形成有源層的圖案和柵極絕緣層的圖案；

通過第四次掩模工藝形成源漏電極的圖案。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

通過第五次掩模工藝形成鈍化層的圖案；

通過第六次掩模工藝形成公共電極的圖案。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過一次掩模工藝形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案，具體包括：

依次形成像素電極薄膜和歐姆接觸層薄膜；

在歐姆接觸層薄膜上方涂覆光刻膠，利用半曝光掩模板進行曝光、顯影后在對應源漏電極的區域形成光刻膠完全保留區域，在對應像素電極的區域形成光刻膠半保留區域，在其余區域形成光刻膠完全去除區域；

通過第一次刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區域的像素電極薄膜和歐姆接觸層薄膜；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，通過第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區域的歐姆接觸層薄膜；

通過剝離工藝去除光刻膠完全保留區域的光刻膠。

10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述通過一次掩模工藝形成有源層的圖案和柵極絕緣層的圖案，具體包括：

在形成柵極的圖案之后，且在形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案之前，在柵極的圖案上方形成柵極絕緣層薄膜；在形成像素電極的圖案和歐姆接觸層的圖案之后，在歐姆接觸層的圖案上方形成有源層薄膜；

在有源層薄膜上涂覆光刻膠，利用半曝光掩模板進行曝光、顯影后在對應柵極的區域形成光刻膠完全保留區域，在對應柵線引線的區域形成光刻膠完全去除區域，其余區域形成光刻膠半保留區域；

通過第一次刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區域的有源層薄膜和柵極絕緣層薄膜；

通過灰化工藝去除光刻膠半保留區域的光刻膠，通過第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區域的有源層薄膜；

通過剝離工藝去除光刻膠完全保留區域的光刻膠。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-4任一項所述的陣列基板。