[發(fā)明專利]LDMOS及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310473815.7
• 申請(qǐng)日: 2013-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN104576375A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃晨
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管LDMOS的制造方法，所述LDMOS為LDNMOS，該方法包括以下步驟：?

A、在基底上形成LDNMOS區(qū)內(nèi)用于隔離P型阱和N-漂移區(qū)的STI；?

B、在LDNMOS區(qū)進(jìn)行離子注入形成P型阱；?

C、在所述P型阱內(nèi)離子注入形成位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置的N-漂移區(qū)；?

D、在N-漂移區(qū)之間的基底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；?

E、在N-漂移區(qū)中進(jìn)行N+摻雜形成源極和漏極；?

其特征在于，該方法還包括：在步驟D形成柵極結(jié)構(gòu)之后，在基底表面形成圖案化的光阻膠層，所述圖案化的光阻膠層的開口顯露出柵極結(jié)構(gòu)、源極和漏極；以所述圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)所述對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)N-漂移區(qū)進(jìn)行預(yù)定深度的離子注入形成P反型離子漂浮區(qū)，所述P反型離子漂浮區(qū)位于N-漂移區(qū)中，與STI具有預(yù)定間隔。?

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在步驟D形成柵極結(jié)構(gòu)之后，形成P反型離子漂浮區(qū)，包括：在步驟D和E之間，或者在步驟E之后，形成P反型離子漂浮區(qū)。?

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述P反型離子漂浮區(qū)為一整體部分，或者為多個(gè)隔離開的部分。?

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述P反型離子漂浮區(qū)的離子注入劑量為10¹³-10¹⁵原子每平方厘米。?

5.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管LDMOS，所述LDMOS為LDNMOS，包括基底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以及位于P型阱內(nèi)，且在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置的N-漂移區(qū)，所述P型阱和N-漂移區(qū)之間設(shè)置有STI，所述N-漂移區(qū)中設(shè)置有源極和漏極；其特征在于，在所述對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)N-漂移區(qū)中設(shè)置具有預(yù)定深度的P反型離子漂浮區(qū)，所述P反型離子漂浮區(qū)與STI具有預(yù)定間隔。?

6.一種橫向擴(kuò)散P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管LDPMOS的制造方法，該?方法包括以下步驟：?

A、在基底上形成LDPMOS區(qū)內(nèi)用于隔離N型阱和P-漂移區(qū)的STI；?

B、在LDPMOS區(qū)進(jìn)行離子注入形成N型阱；?

C、在所述N型阱內(nèi)離子注入形成位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置的P-漂移區(qū)；?

D、在P-漂移區(qū)之間的基底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；?

E、在P-漂移區(qū)中進(jìn)行P+摻雜形成源極和漏極；?

其特征在于，該方法還包括：在步驟D形成柵極結(jié)構(gòu)之后，在基底表面形成圖案化的光阻膠層，所述圖案化的光阻膠層的開口顯露出柵極結(jié)構(gòu)、源極和漏極；以所述圖案化的光阻膠層為掩膜，對(duì)所述對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)P-漂移區(qū)進(jìn)行預(yù)定深度的離子注入形成N反型離子漂浮區(qū)，所述N反型離子漂浮區(qū)位于P-漂移區(qū)中，與STI具有預(yù)定間隔。?

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在步驟D形成柵極結(jié)構(gòu)之后，形成N反型離子漂浮區(qū)，包括：在步驟D和E之間，或者在步驟E之后，形成N反型離子漂浮區(qū)。?

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述N反型離子漂浮區(qū)為一整體部分，或者為多個(gè)隔離開的部分。?

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述N反型離子漂浮區(qū)的離子注入劑量為10¹³-10¹⁵原子每平方厘米。?

10.一種橫向擴(kuò)散P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管LDPMOS，包括基底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以及位于N型阱內(nèi)，且在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置的P-漂移區(qū)，所述N型阱和P-漂移區(qū)之間設(shè)置有STI，所述P-漂移區(qū)中設(shè)置有源極和漏極；其特征在于，在所述對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)P-漂移區(qū)中設(shè)置有N反型離子漂浮區(qū)，所述N反型離子漂浮區(qū)與STI具有預(yù)定間隔。?