[發明專利]LDMOS及其制造方法

在審

• 申請號: 201310473815.7
• 申請日: 2013-10-12
• 公開（公告）號: CN104576375A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 黃晨
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管LDMOS的制造方法，所述LDMOS為LDNMOS，該方法包括以下步驟：?

A、在基底上形成LDNMOS區內用于隔離P型阱和N-漂移區的STI；?

B、在LDNMOS區進行離子注入形成P型阱；?

C、在所述P型阱內離子注入形成位于柵極結構兩側對稱設置的N-漂移區；?

D、在N-漂移區之間的基底表面形成柵極結構；?

E、在N-漂移區中進行N+摻雜形成源極和漏極；?

其特征在于，該方法還包括：在步驟D形成柵極結構之后，在基底表面形成圖案化的光阻膠層，所述圖案化的光阻膠層的開口顯露出柵極結構、源極和漏極；以所述圖案化的光阻膠層為掩膜，對所述對稱設置的兩個N-漂移區進行預定深度的離子注入形成P反型離子漂浮區，所述P反型離子漂浮區位于N-漂移區中，與STI具有預定間隔。?

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在步驟D形成柵極結構之后，形成P反型離子漂浮區，包括：在步驟D和E之間，或者在步驟E之后，形成P反型離子漂浮區。?

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述P反型離子漂浮區為一整體部分，或者為多個隔離開的部分。?

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述P反型離子漂浮區的離子注入劑量為10¹³-10¹⁵原子每平方厘米。?

5.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管LDMOS，所述LDMOS為LDNMOS，包括基底表面的柵極結構，以及位于P型阱內，且在柵極結構兩側對稱設置的N-漂移區，所述P型阱和N-漂移區之間設置有STI，所述N-漂移區中設置有源極和漏極；其特征在于，在所述對稱設置的兩個N-漂移區中設置具有預定深度的P反型離子漂浮區，所述P反型離子漂浮區與STI具有預定間隔。?

6.一種橫向擴散P型金屬氧化物半導體晶體管LDPMOS的制造方法，該?方法包括以下步驟：?

A、在基底上形成LDPMOS區內用于隔離N型阱和P-漂移區的STI；?

B、在LDPMOS區進行離子注入形成N型阱；?

C、在所述N型阱內離子注入形成位于柵極結構兩側對稱設置的P-漂移區；?

D、在P-漂移區之間的基底表面形成柵極結構；?

E、在P-漂移區中進行P+摻雜形成源極和漏極；?

其特征在于，該方法還包括：在步驟D形成柵極結構之后，在基底表面形成圖案化的光阻膠層，所述圖案化的光阻膠層的開口顯露出柵極結構、源極和漏極；以所述圖案化的光阻膠層為掩膜，對所述對稱設置的兩個P-漂移區進行預定深度的離子注入形成N反型離子漂浮區，所述N反型離子漂浮區位于P-漂移區中，與STI具有預定間隔。?

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述在步驟D形成柵極結構之后，形成N反型離子漂浮區，包括：在步驟D和E之間，或者在步驟E之后，形成N反型離子漂浮區。?

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述N反型離子漂浮區為一整體部分，或者為多個隔離開的部分。?

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述N反型離子漂浮區的離子注入劑量為10¹³-10¹⁵原子每平方厘米。?

10.一種橫向擴散P型金屬氧化物半導體晶體管LDPMOS，包括基底表面的柵極結構，以及位于N型阱內，且在柵極結構兩側對稱設置的P-漂移區，所述N型阱和P-漂移區之間設置有STI，所述P-漂移區中設置有源極和漏極；其特征在于，在所述對稱設置的兩個P-漂移區中設置有N反型離子漂浮區，所述N反型離子漂浮區與STI具有預定間隔。?