[發(fā)明專利]一種對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310473512.5 | 申請日： | 2013-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN103495908A | 公開（公告）日： | 2014-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 汪寧 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | B24B1/00 | 分類號： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 inp rfic 進(jìn)行 流變 拋光 方法 | ||
1.一種對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，包括：
步驟1：將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行鍵合：
步驟2：將InP基RFIC晶圓需要拋光的一面垂直向下浸入油基拋光液中，進(jìn)行磁流變減薄拋光；
步驟3：對拋光后的InP基RFIC晶圓進(jìn)行清洗；
步驟4：將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，步驟1中所述將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行鍵合，包括：
將待減薄的InP基RFIC晶圓放置于UV粘膜上，放于熱板上，熱板溫度60℃，在2×10-2mabr真空下，施加0.6bar壓強(qiáng)于InP基RFIC晶圓上進(jìn)行鍵合，鍵合時間20分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，步驟2中所述將InP基RFIC晶圓需要拋光的一面垂直向下浸入油基拋光液中，進(jìn)行磁流變減薄拋光，包括：
使用真空夾具吸附步驟1完成UV鍵合的InP基RFIC晶圓，將InP基RFIC晶圓需要拋光的一面垂直向下浸入油基拋光液中，進(jìn)行磁流變減薄拋光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，所述油基拋光液主要成分包括(體積比)：人造金剛石CBN顆粒，顆粒直徑50～200nm，體積5～8％；羥基鐵30～40％；硅油50～60％；穩(wěn)定劑2～5％。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，所述磁流變減薄拋光中，真空夾具轉(zhuǎn)速80～200rpm，磁場強(qiáng)度H為300～500kA／m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，步驟3中所述對拋光后的InP基RFIC晶圓進(jìn)行清洗，包括：
采用去離子水將拋光后的InP基RFIC晶圓沖洗干凈，40℃N2吹干。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法，其特征在于，步驟4中所述將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行分離，包括：
將InP基RFIC晶圓放入UV去膠機(jī)進(jìn)行UV照射，UV波段185～365nm，照射時間20分鐘，使UV粘膠分解，取下InP基RFIC晶圓。
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