[發(fā)明專利]一種對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310473512.5 | 申請日: | 2013-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN103495908A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 汪寧 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | B24B1/00 | 分類號: | B24B1/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 inp rfic 進(jìn)行 流變 拋光 方法 | ||
1.一種對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,包括:
步驟1:將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行鍵合:
步驟2:將InP基RFIC晶圓需要拋光的一面垂直向下浸入油基拋光液中,進(jìn)行磁流變減薄拋光;
步驟3:對拋光后的InP基RFIC晶圓進(jìn)行清洗;
步驟4:將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,步驟1中所述將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行鍵合,包括:
將待減薄的InP基RFIC晶圓放置于UV粘膜上,放于熱板上,熱板溫度60℃,在2×10-2mabr真空下,施加0.6bar壓強(qiáng)于InP基RFIC晶圓上進(jìn)行鍵合,鍵合時間20分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,步驟2中所述將InP基RFIC晶圓需要拋光的一面垂直向下浸入油基拋光液中,進(jìn)行磁流變減薄拋光,包括:
使用真空夾具吸附步驟1完成UV鍵合的InP基RFIC晶圓,將InP基RFIC晶圓需要拋光的一面垂直向下浸入油基拋光液中,進(jìn)行磁流變減薄拋光。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,所述油基拋光液主要成分包括(體積比):人造金剛石CBN顆粒,顆粒直徑50~200nm,體積5~8%;羥基鐵30~40%;硅油50~60%;穩(wěn)定劑2~5%。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,所述磁流變減薄拋光中,真空夾具轉(zhuǎn)速80~200rpm,磁場強(qiáng)度H為300~500kA/m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,步驟3中所述對拋光后的InP基RFIC晶圓進(jìn)行清洗,包括:
采用去離子水將拋光后的InP基RFIC晶圓沖洗干凈,40℃N2吹干。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對InP基RFIC晶圓進(jìn)行磁流變減薄拋光的方法,其特征在于,步驟4中所述將InP基RFIC晶圓與UV膜進(jìn)行分離,包括:
將InP基RFIC晶圓放入UV去膠機(jī)進(jìn)行UV照射,UV波段185~365nm,照射時間20分鐘,使UV粘膠分解,取下InP基RFIC晶圓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院微電子研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院微電子研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310473512.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





