[發明專利]一種柔性光電器件的制備方法

有效

• 申請號: 201310472546.2
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN104576969A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 葛泳;邱勇;平山秀雄;黃秀頎
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/48;H01L51/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術領域

本發明涉及柔性電子器件領域，具體涉及一種柔性光電器件的制備方法。

背景技術

有機電致發光二極管（英文全稱為Organic?Light-Emitting?Diodes，簡稱為OLED）、有機太陽能電池（英文全稱為Organic?Photovoltaic，簡稱為OPV）、有機薄膜場效應晶體管（英文全稱為Organic?Thin?Film?Transistor，簡稱為OTFT）、有機光泵浦激光器（英文全稱為Organic?Semiconductor?Lasers，簡稱為OSL）等光電器件最具魅力的所在就是可以實現柔性化，具體是將有電器件制作在柔性聚合物基板上，如聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、聚礬醚（PES）、聚對萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚酰亞胺（PI）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）等，這些聚合物基板可以使得光電器件彎曲，并且可以卷成任意形狀。

因為聚合物基板存在硬度低、熱膨脹系數高、耐高溫性能差等特點，在受熱或受力的情況下易出現卷曲或剝落分離的現象，在器件的制備過程中會導致嚴重的缺陷；因此，不能簡單地將常規的以玻璃等剛性材料為基板的光電器件的制備方法簡單移植到聚合物柔性基板上?，F有技術中一般通過先將聚合物基板固定在剛性基板上，如玻璃基板，以完成基板的傳送和各段工藝的制備，器件封裝完畢后再將柔性基板連同器件從剛性基板上剝離，最終形成柔性光電器件。

中國專利CN102651331A公開了一種柔性電子器件的制備方法，具體為：先采用光刻工藝制備基板托盤，即在剛性基板（如玻璃基板）上刻蝕出多個凹槽，形成凹槽區，凹槽區的外圍是平面狀的邊緣區；將柔性基板放置在基板托盤的上方，將附帶柔性基板的基板托盤放入腔室內做抽真空處理，并通過化學氣相沉積或物理氣相沉積在柔性基板上方沉積固定層，固定層為導電層或絕緣層，固定層的外邊緣覆蓋延伸到柔性基板的外邊界以外，由此將柔性基板固定在基板托盤上；在柔性基板上進行電子器件的加工工藝；通過在固定層上涂布光刻膠、進行預固化、曝光、顯影，對顯影區域進行刻蝕，刻蝕掉該區域上的固定層，將柔性基板與基板托盤上其他區域的光刻膠剝離掉，柔性基板與基板托盤之間的真空被釋放，柔性基板與基板托盤分離。與現有技術中常用的在剛性基板與柔性基板之間設置犧牲層，器件制備完成后再將犧牲層除去以達到柔性基板與剛性基板剝離的技術相比，上述制備方法工藝更加簡單。但是上述制備方法多次采用光刻技術，還存在工藝成本高的問題，而且在器件與剛性基板剝離的過程中，易出現膠體污染等問題；承載基板上設置有凹槽，在真空狀態下就會破壞柔性基板表面的平整度，影響到后續器件制備過程以及器件的性能。

發明內容

為此，本發明所要解決的現有技術中柔性光電器件的制備工藝中工藝成本高，基板表面平整度低的問題，提供工藝簡單、基板表面平整度高的柔性光電器件的制備方法。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案如下：

本發明所述的一種柔性光電器件的制備方法，包括如下步驟：

S1、在玻璃載板上制備若干高粗糙區域和若干圍繞所述高粗糙區域的低粗糙區域，每一高粗糙區域和圍繞所述高粗糙區域的低粗糙區域形成一器件制備單元區域；

S2、在所述器件制備單元區域上直接設置柔性聚合物基板，再置于腔室內進行高溫、高壓處理；

S3、在所述高粗糙區域所對應的所述柔性聚合物基板表面進行光電器件的制備與封裝；

S4、將所述高粗糙區域中所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件進行裁切，并將所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件從所述玻璃載板上剝離。

步驟S4之后還包括如下步驟：

S5、在所述器件制備單元區域中存留的所述柔性聚合物基板上制備掩膜層，并通過掩膜層對所述柔性聚合物基板進行灰化處理，在柔性聚合物基板上形成貫通通道；

S6、將步驟S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板的所述玻璃載板置于含有H₂O氣體的腔室內進行加熱處理，再將剩余所述柔性聚合物基板從所述玻璃載板上剝離。

步驟S1中所述低粗糙區域的粗糙度為R_a<0.1，所述高粗糙區域的粗糙度為0.3<R_a<0.5。

步驟S2中所述高溫、高壓步驟中溫度為200～250℃，壓力為0.3～0.5MPa。

步驟S2中所述高溫、高壓步驟的處理時間為30～90分鐘。

步驟S5中所述掩膜層為設置有微孔的金屬遮蔽層。