[發明專利]一種柔性光電器件的制備方法

有效

• 申請號: 201310472546.2
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN104576969A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 葛泳;邱勇;平山秀雄;黃秀頎
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/48;H01L51/00
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、在玻璃載板上制備若干高粗糙區域和若干圍繞所述高粗糙區域的低粗糙區域，每一高粗糙區域和圍繞所述高粗糙區域的低粗糙區域形成一器件制備單元區域；

S2、在所述器件制備單元區域上直接設置柔性聚合物基板，再置于腔室內進行高溫、高壓處理；

S3、在所述高粗糙區域所對應的所述柔性聚合物基板表面進行光電器件的制備與封裝；

S4、將所述高粗糙區域中所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件進行裁切，并將所述柔性聚合物基板與之所承載的所述光電器件從所述玻璃載板上剝離。

2.根據權利要求1所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S4之后還包括如下步驟：

S5、在所述器件制備單元區域中存留的所述柔性聚合物基板上制備掩膜層，并通過掩膜層對所述柔性聚合物基板進行灰化處理，在柔性聚合物基板上形成貫通通道；

S6、將步驟S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板的所述玻璃載板置于含有H₂O氣體的腔室內進行加熱處理，再將剩余所述柔性聚合物基板從所述玻璃載板上剝離。

3.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述低粗糙區域的粗糙度為R_a<0.1，所述高粗糙區域的粗糙度為0.3<R_a<0.5。

4.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述高溫、高壓步驟中溫度為200～250℃，壓力為0.3～0.5MPa。

5.根據權利要求4所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述高溫、高壓步驟的處理時間為30～90分鐘。

6.根據權利要求2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S5中所述掩膜層為設置有微孔的金屬遮蔽層。

7.根據權利要求6所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，所述金屬遮蔽層的厚度為0.1～0.5mm，所述微孔的孔徑為40～100μm。

8.根據權利要求2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S6中所述加熱步驟的加熱溫度為180～220℃。

9.根據權利要求2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S6中所述加熱步驟的處理時間為20～60分鐘。

10.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述柔性聚合物基板直接放置或通過旋轉涂布、化學氣相沉積、真空蒸鍍的方法設置在所述玻璃載板上。

11.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述柔性聚合物基板直接放置在所述玻璃載板上。

12.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述高溫、高壓步驟前還包括抽真空處理，真空度為10^-4～10^-2Pa。

13.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S1中所述高粗糙區域和所述低粗糙區域通過酸法刻蝕工藝制備。

14.根據權利要求1或2所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述光電器件的制備步驟之前，還包括在所述柔性聚合物基板上制備包括至少2層阻隔單元層和至少1層平坦化單元層交替設置的水氧阻隔層，所述阻隔單元層包括呈陣列分布的若干阻隔單元，所述平坦化單元層包括呈陣列分布的若干平坦化單元，所述平坦化單元設置在相鄰所述阻隔單元的間隙中并延伸至所述阻隔單元上。

15.根據權利要求14所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，所述阻隔單元的材料相同或者不同，選自氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化鋯、氮氧化鋁、氮氧化硅、非晶碳中的一種或多種的組合。

16.根據權利要求15所述的一種柔性光電器件的制備方法，其特征在于，所述平坦化單元的材料選自聚丙烯酸酯、聚對二甲苯、聚脲、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的一種或多種的組合。