[發(fā)明專(zhuān)利]一種紅外低發(fā)射率納米晶薄膜材料SnO2及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310471642.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103508484A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 閆軍鋒;張志勇;張鳳姣;田江曉;許曼章;李婷;師毓菲;孫相鵬;趙武;贠江妮 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 西北大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C01G19/02 | 分類(lèi)號(hào)： | C01G19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 710127 陜*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紅外 發(fā)射 納米 薄膜 材料 sno sub 及其 制備 方法 | ||
1.一種紅外低發(fā)射率納米晶薄膜材料SnO2，其特征在于，所述薄膜材料SnO2表面分散著四棱柱狀納單晶米棒，所述納米棒的直徑為20～40nm，長(zhǎng)度為40～100nm，長(zhǎng)徑比為2～5，所述薄膜材料SnO2在8～14μm范圍內(nèi)的紅外發(fā)射率為0.18～0.3。?
2.實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的一種紅外低發(fā)射率納米晶薄膜材料SnO2的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：?
(1)將1×1cm的錫片碾平，放入體積比為1：1的丙酮與四氯化碳混合液中超聲15～20min；?
(2)將步驟(1)中超聲好的錫片分別用去離子水和無(wú)水乙醇沖洗多次，烘干；?
(3)將步驟(2)所得錫片平放于聚四氟乙烯襯里的反應(yīng)釜底部；?
(4)向步驟(3)中的反應(yīng)釜中倒入分析純的正丁胺溶液(5)將反應(yīng)釜密封并置于110℃～160℃烘箱中保溫24～108h，然后自然冷卻至室溫即可。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種紅外低發(fā)射率納米晶薄膜材料SnO2的制備方法，其特征在于，所述的步驟(1)中以金屬錫片為襯底直接在其上生長(zhǎng)單晶SnO2納米棒。?
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種紅外低發(fā)射率納米晶薄膜材料SnO2的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中分析純的正丁胺溶液中正丁胺與去離子水體積比為0.1～0.3。?
5.根據(jù)權(quán)利要求2一種紅外低發(fā)射率納米晶薄膜材料SnO2的制備方法，其特征在于，所述的步驟(4)中反應(yīng)釜的填充度為65％。?
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