[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201310469636.6 | 申請日: | 2013-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN103489878A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 趙海廷 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陳源 |
| 地址: | 230011 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:基板以及設置于所述基板上的薄膜晶體管、柵線和數據線,所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極、以及設置于所述柵極與所述源極和漏極之間的柵絕緣層,所述柵極與所述柵線電連接,其特征在于,所述柵絕緣層中設置有數據線嵌入區,所述數據線設置于所述數據線嵌入區內,所述數據線與所述源極電連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述柵線和所述數據線交叉設置將所述基板劃分為多個像素區域,所述薄膜晶體管設置于所述像素區域內,所述數據線嵌入區為開設于所述柵絕緣層中對應著所述薄膜晶體管設置區域以外的條形槽,所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述條形槽開設在對應著相鄰像素區域之間的數據線走線區域,所述數據線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度,所述數據線與所述柵線同層設置,且所述數據線的高度小于等于所述柵絕緣層的厚度;
或者,所述條形槽開設于所述柵絕緣層的表層,且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度,所述數據線設置于所述條形槽的底部,所述數據線的高度小于等于所述條形槽的深度。
5.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-4任意一項所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制備方法,包括:在基板上形成薄膜晶體管、柵線和數據線的步驟,形成所述薄膜晶體管的步驟包括形成柵極的圖形、源極和漏極的圖形的步驟,其特征在于,所述方法還包括,采用構圖工藝,形成包括柵絕緣層的圖形和數據線嵌入區的圖形的步驟,所述數據線形成于所述數據線嵌入區內,所述數據線與所述源極電連接。
7.根據權利要求6所述的制備方法,其特征在于,其特征在于,所述數據線嵌入區為形成于所述柵絕緣層中對應著所述薄膜晶體管設置區域以外的條形槽,所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,形成包括柵絕緣層的圖形和數據線嵌入區的圖形的步驟包括:采用全色調掩模板,在構圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形,所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度;
或者,采用半色調掩模板,在構圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形,所述條形槽形成于所述柵絕緣層的表層,且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述條形槽形成在對應著相鄰像素區域之間的數據線走線區域,所述數據線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述數據線的高度小于等于所述條形槽的深度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





