[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201310469636.6 | 申請日: | 2013-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN103489878A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 趙海廷 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體地,涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展,人們對高亮度、高對比度、低能耗顯示裝置的要求越來越高。
目前,平板顯示裝置盛行,平板顯示裝置在制造過程中普遍面臨如何避免漏光的問題。
如:對于ADS(Advanced?Super?Dimension?Switch,高級超維場轉換技術)模式的液晶顯示裝置來說,顯示面板通常在黑態畫面時易發生漏光,這種漏光會造成顯示面板黑態畫面亮度偏高,致使顯示面板對比度偏低;對于HADS(High?Aperture?Ratio?Advanced?Super?Dimension?Switch,高開口率高級超維場轉換技術)模式的液晶顯示裝置來說,同樣存在上述漏光而導致對比度偏低的問題。
造成像素邊緣漏光的主要原因是摩擦(rubbing)弱區形成漏光,其中,摩擦弱區是指通過摩擦方式在陣列基板的內側形成取向膜時,在形成有金屬線(如數據線,柵線等)的區域,由于金屬線的邊緣區域相對像素區其他區域的斷差較大,使得摩擦布在經過該區域時因摩擦不充分而形成的摩擦較弱的區域。通常,摩擦弱區的液晶分子取向性較差,在黑態或白態時,摩擦弱區的液晶分子可能出現無法按照特定方向取向,從而形成漏光的現象;在陣列基板與彩膜基板對合后,當黑矩陣也無法遮蓋摩擦弱區時,漏光就會表現出來。
通常情況下,柵線上方對應的彩膜基板中黑矩陣寬度較大,因此,柵線附近很少發生漏光;而為了不影響顯示面板的開口率,數據線上方對應的黑矩陣寬度一般較小,在陣列基板和彩膜基板對位不好的情況下,數據線附近特別是數據線的邊緣對應區域經常容易出現漏光現象。
發明內容
本發明針對現有技術中存在的上述技術問題,提供一種陣列基板及其制備方法和顯示面板。該陣列基板,通過將數據線設置于柵絕緣層中的數據線嵌入區內,即條形槽內,使得數據線的邊緣區域相對像素區域內的其他區域不會形成斷差或形成的斷差較小,從而減弱摩擦弱區形成的漏光,使得數據線所在區域的邊緣區域在未被黑矩陣遮擋住的情況下,也不會出現漏光現象,保證了陣列基板的品質。
本發明提供一種陣列基板,包括:基板以及設置于所述基板上的薄膜晶體管、柵線和數據線,所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極、以及設置于所述柵極與所述源極和漏極之間的柵絕緣層,所述柵極與所述柵線電連接,所述柵絕緣層中設置有數據線嵌入區,所述數據線設置于所述數據線嵌入區內,所述數據線與所述源極電連接。
優選的,所述柵線和所述數據線交叉設置將所述基板劃分為多個像素區域,所述薄膜晶體管設置于所述像素區域內,所述數據線嵌入區為開設于所述柵絕緣層中對應著所述薄膜晶體管設置區域以外的條形槽,所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
優選的,所述條形槽開設在對應著相鄰像素區域之間的數據線走線區域,所述數據線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
優選的,所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度,所述數據線與所述柵線同層設置,且所述數據線的高度小于等于所述柵絕緣層的厚度;
或者,所述條形槽開設于所述柵絕緣層的表層,且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度,所述數據線設置于所述條形槽的底部,所述數據線的高度小于等于所述條形槽的深度。
本發明還提供一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
本發明還提供一種陣列基板的制備方法,包括:在基板上形成薄膜晶體管、柵線和數據線的步驟,形成所述薄膜晶體管的步驟包括形成柵極的圖形、同層設置的源極和漏極的圖形的步驟,所述方法還包括,采用構圖工藝,形成包括柵絕緣層的圖形和數據線嵌入區的圖形的步驟,所述數據線形成于所述數據線嵌入區內,所述數據線與所述源極電連接。
優選的,所述數據線嵌入區為形成于所述柵絕緣層中對應著所述薄膜晶體管設置區域以外的條形槽,所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
優選的,形成包括柵絕緣層的圖形和數據線嵌入區的圖形的步驟包括:采用全色調掩模板,在構圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形,所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度;
或者,采用半色調掩模板,在構圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形,所述條形槽形成于所述柵絕緣層的表層,且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度。
優選的,所述條形槽形成在對應著相鄰像素區域之間的數據線走線區域,所述數據線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
優選的,所述數據線的高度小于等于所述條形槽的深度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





