[發明專利]用于光刻工藝的掩膜及其制成的圖形有效
| 申請號： | 201310468644.9 | 申請日： | 2013-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN103730337A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 戴維·普拉特;理查德·豪斯利 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 光刻 工藝 及其 制成 圖形 | ||
1.一種用于光刻工藝的保護性或外圍保護性掩膜，其特征在于，在光刻與刻蝕工藝中使用具有多個規律的凸部與凹部的城垛狀掩膜，其中借由將所述城垛狀掩膜的凸部與凹部設置在預先形成的多個長方形間隙體回路上來將所述間隙體回路圖形化成一內存陣列中的字線溝渠。
2.根據權利要求1所述的用于光刻工藝的保護性或外圍保護性掩膜，其特征在于，每一所述凸部的寬度大于所述間隙體回路的寬度。
3.根據權利要求1所述的用于光刻工藝的保護性或外圍保護性掩膜，其特征在于，另具有相鄰的字線交替地偏移至所述內存陣列的一側與另一側。
4.根據權利要求3所述的用于光刻工藝的保護性或外圍保護性掩膜，其特征在于，每一所述字線靠近內存陣列的一端印制有一接觸結構。
5.一種用于光刻工藝的掩膜，其特征在于，在光刻與刻蝕工藝中使用具有多個規律的凸部與凹部的城垛狀掩膜，其中借由將所述城垛狀掩膜的凸部與凹部分別設置在預先形成的多個長方形間隙體回路的上方間隙體部分以及下方間隙體部分來將所述間隙體回路圖形化成一內存陣列中的數據線。
6.根據權利要求5所述的用于光刻工藝的掩膜，其特征在于，每一所述凸部的寬度設計成能讓所述凸部設置在所述間隙體回路上或是與所述間隙體回路自對準。
7.根據權利要求5所述的用于光刻工藝的掩膜，其特征在于，另具有相鄰的所述數據線交替地偏移至所述內存陣列的一側與另一側。
8.根據權利要求5所述的用于光刻工藝的掩膜，其特征在于，每一所述數據線靠近所述內存陣列的一端印制有一接觸結構。
9.根據權利要求5所述的用于光刻工藝的掩膜，其特征在于，所述凸部呈L形且覆蓋在所述間隙體回路的上方間隙體部分與中間間隙體部分。
10.根據權利要求9所述的用于光刻工藝的掩膜，其中相鄰的所述數據線交替地偏移至所述內存陣列的一側與另一側。
11.根據權利要求9所述的用于光刻工藝的掩膜，其特征在于，每一所述數據線靠近所述內存陣列的一端印制有一接觸結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
