[發(fā)明專利]一種GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片及其應(yīng)用無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310466986.7 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-09 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103515497A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 章勇;肖漢章;李正凱;羅長(zhǎng)得 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華南師范大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人： | 林麗明 |
| 地址： | 510631 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gan 基寬藍(lán)光 波長(zhǎng) led 外延 及其 應(yīng)用 | ||
1.一種GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，從襯底開(kāi)始，依次為GaN緩沖層、GaN本征層、n-GaN層、InGaN/GaN多量子阱層、p-AlGaN層和p-GaN層，所述的InGaN/GaN多量子阱層由InGaN阱層和GaN壘層交替疊加而成，其特征在于，所述的InGaN/GaN多量子阱活性層的InGaN阱層的厚度從n-GaN到p-GaN方向逐漸增大，所述的InGaN/GaN多量子阱活性層的GaN壘層厚度從n-GaN到p-GaN方向逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，其特征在于，所述的InGaN/GaN多量子阱層中的量子阱的數(shù)量為4~6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，其特征在于，所述的InGaN阱層厚度，從n-GaN到p-GaN方向，由2?nm遞增到3?nm，所述的GaN壘層厚度，從n-GaN到p-GaN方向，由16?nm遞減到4?nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，其特征在于，所述的遞增為等差遞增，所述的遞減為等差遞減。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，其特征在于，InGaN阱層中In的摩爾量為Ga和In的總量的15~18%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，其特征在于，所述的p-GaN層摻有受主Mg，所述的n-GaN層摻有施主Si。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)LED外延片，其特征在于，所述的襯底為藍(lán)寶石、硅、SiC或GaN中的一種。
8.一種白光LED，其特征在于，由權(quán)利要求1所述的GaN基寬藍(lán)光波長(zhǎng)芯片與黃光熒光粉結(jié)合封裝而成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的白光LED，其特征在于，所述的白光LED的發(fā)射峰值的范圍在550~590nm，所述黃光熒光粉為YAG:Ce+、硅酸鹽、鋁酸鹽或氮化物中的一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
