[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310466630.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103579015A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳文榮;李育富;甘振昌 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 嘉盛馬來(lái)西亞公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/50 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
| 地址: | 馬來(lái)西亞*** | 國(guó)省代碼: | 馬來(lái)西亞;MY |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 形成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法,更特別地,涉及把透明模制化合物和不透明模制化合物組合在模制封裝中的半導(dǎo)體封裝和形成半導(dǎo)體封裝的方法。
背景技術(shù)
集成電路(IC)光學(xué)傳感器(例如,接近式傳感器)在半導(dǎo)體封裝中典型地包括安裝在引線(xiàn)框架上的光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片。多個(gè)當(dāng)前工藝使光學(xué)傳感器在光發(fā)射器裸片和光臉測(cè)器裸片之間具有但不限于較差的光學(xué)隔離和不利的噪音(例如,光泄漏)。此外,當(dāng)前模制工藝采用慢而低放的人工操作手工鑄造方法,其導(dǎo)致低下且不一致的制造良率。希望使用更快且更高效的大批量生產(chǎn)的裝置生成具有良好的串?dāng)_特性的光學(xué)傳感器的新方法。
發(fā)明內(nèi)容
在某些實(shí)施例中半導(dǎo)體封裝包括引線(xiàn)框架、設(shè)置在引線(xiàn)框架上的光發(fā)射裸片、以及設(shè)置在引線(xiàn)框架上與光發(fā)射器裸片相鄰的光檢測(cè)器裸片。透明(例如,透光的)模制化合物被設(shè)置在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之上。凹槽被形成在引線(xiàn)框架之上并且在裸片之間在透明模制化合物中。至少一個(gè)附加凹槽可被形成在透明模制化合物中并且可被設(shè)置在封裝的邊緣。不透明模制化合物被設(shè)置在被形成在透明模制化合物中的凹槽中,其中,不透明模制化合物填充凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
在一實(shí)施例中,不透明材料相對(duì)于透明模制化合物的頂表面基本上平齊。
在另一實(shí)施例中,不透明模制化合物可附加地設(shè)置在透明模制化合物之上。不透明模制化合物的覆蓋透明模制化合物的一部分被選擇移除,從而在透明模制化合物中形成孔徑。
在又一實(shí)施例中,凹槽被形成在封裝的所有四個(gè)邊緣上并用不透明模制化合物填充。
在另一實(shí)施例中,可存在與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰地形成臺(tái)階凹槽。不透明材料可以也設(shè)置在該臺(tái)階凹槽內(nèi)。
在又一實(shí)施例中,形成在光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽具有至少一個(gè)傾斜壁。
根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例,半導(dǎo)體封裝包括引線(xiàn)框架、設(shè)置在引線(xiàn)框架上的光發(fā)射裸片、以及設(shè)置在引線(xiàn)框架上與光發(fā)射器裸片相鄰的光檢測(cè)器裸片。透明(例如,透光的)模制化合物被設(shè)置在光發(fā)射器裸片和光檢測(cè)器裸片之上。具有至少一個(gè)傾斜壁的凹槽被形成在所述裸片之間并且在引線(xiàn)框架上方的透明模制化合物中。在被形成于透明模制化合物中的凹槽中設(shè)置不透明模制化合物,其中不透明模制化合物填充所述凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
在一實(shí)施例中,不透明材料相對(duì)于透明模制化合物的頂表面基本上平齊。
在另一實(shí)施例中,不透明模制化合物可以附加地設(shè)置在透明模制化合物之上。不透明模制化合物的覆蓋透明模制化合物的一部分可被選擇性移除,從而在透明模制化合物中形成孔徑。
在又一實(shí)施例中,凹槽可被形成在封裝的所有四個(gè)邊緣上并用不透明模制化合物填充。
在另一實(shí)施例中,可以存在與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰地形成的臺(tái)階凹槽。在該臺(tái)階凹槽中也可設(shè)置不透明材料。
在又一實(shí)施例中,一種形成半導(dǎo)體封裝的方法,包括提供引線(xiàn)框架、在引線(xiàn)框架上放置第一裸片,以及在引線(xiàn)框架上放置第二裸片,其中第一和第二裸片彼此相鄰地設(shè)置。該方法進(jìn)一步包括在引線(xiàn)框架上的所有裸片之上以整體操作設(shè)置透明模制化合物并選擇性移除它,從而在裸片之間形成凹槽。至少一個(gè)附加凹槽可被形成在透明模制化合物中并且可被設(shè)置在封裝的邊緣。不透明模制化合物被設(shè)置在形成于透明模制化合物中的凹槽中,其中所述不透明模制化合物填充凹槽并被配置為阻擋光發(fā)射器和光檢測(cè)器之間的光學(xué)串?dāng)_。
在另一實(shí)施例中,該方法可包括其中形成在封裝邊緣上的凹槽可以寬于形成在裸片之間的凹槽的實(shí)施例。
在又一實(shí)施例中,所述方法可包括附加地在透明模制化合物之上設(shè)置不透明模制化合物。不透明模制化合物的覆蓋透明模制化合物的一部分可被選擇性地移除,從而在透明模制化合物中形成孔徑。
在另一實(shí)施例中,所述方法可包括大透明模制化合物中形成街道凹槽,街道凹槽設(shè)置在水平街道和垂直街道中的每一個(gè)上并且在引線(xiàn)框架上方。所述方法進(jìn)一步包括在多個(gè)街道凹槽中設(shè)置不透明模制化合物。
在又一實(shí)施例中,該方法可包括形成與光發(fā)射器和光檢測(cè)器裸片之間的凹槽相鄰的臺(tái)階凹槽。不透明材料也可設(shè)置在該臺(tái)階凹槽中。
在另一實(shí)施例中,該方法可包括在裸片之間形成具有至少一個(gè)傾斜壁的凹槽。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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