[發(fā)明專利]半導體封裝和形成半導體封裝的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310466630.3 | 申請日: | 2013-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN103579015A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳文榮;李育富;甘振昌 | 申請(專利權(quán))人: | 嘉盛馬來西亞公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L25/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 魏小薇 |
| 地址: | 馬來西亞*** | 國省代碼: | 馬來西亞;MY |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體 封裝 形成 方法 | ||
1.一種半導體封裝,包括:
引線框架;
第一裸片,被設(shè)置在引線框架上;
第二裸片,被設(shè)置在引線框架上,與所述第一裸片相鄰;
透明材料,被設(shè)置在所述第一裸片和所述第二裸片之上;
在所述透明材料中的第一凹槽,被設(shè)置在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方;
在所述透明材料中的至少一個邊緣凹槽,被設(shè)置在所述封裝的邊緣上并且在所述引線框架上方;以及
不透明材料,被設(shè)置在所述第一凹槽和所述邊緣凹槽之內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝,其中,所述不透明材料相對于所述透明材料的頂表面基本上平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝,其中,所述不透明材料附加地設(shè)置在所述透明材料的頂表面上;以及
其中設(shè)置在所述透明材料的頂表面上的所述不透明材料的至少一部分被選擇性地移除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝,進一步包括被設(shè)置在所述封裝的四個邊緣中的每一個上并且在引線框架上方的在所述透明材料中的邊緣凹槽;以及
所述不透明材料被設(shè)置在多個邊緣凹槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝,進一步包括在所述透明材料中的設(shè)置為與所述第一凹槽相鄰的至少一個臺階凹槽;和
所述不透明材料被設(shè)置在所述臺階凹槽中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝,其中所述第一凹槽具有至少一個傾斜壁。
7.一種半導體封裝,包括:
引線框架;
第一裸片,被設(shè)置在引線框架上;
第二裸片,被設(shè)置在引線框架上,與所述第一裸片相鄰;
透明材料,被設(shè)置在所述第一裸片和所述第二裸片之上;
第一凹槽,被設(shè)置在所述透明材料中,在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方;
其中所述第一凹槽具有至少一個傾斜壁;以及
不透明材料,被設(shè)置在所述第一凹槽中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體封裝,其中所述不透明材料相對于所述透明材料的頂表面基本上平齊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體封裝,其中,所述不透明材料附加地設(shè)置在所述透明材料的頂表面上;以及
其中所述不透明材料的設(shè)置在所述透明材料的頂表面上的至少一部分被選擇性地移除。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體封裝,進一步包括被設(shè)置在所述封裝的四個邊緣中的每一個上并且在引線框架之上的在所述透明材料中的邊緣凹槽;以及
所述不透明材料被設(shè)置在多個邊緣凹槽中。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體封裝,進一步包括在所述透明材料中的設(shè)置為與所述第一凹槽相鄰的至少一個臺階凹槽;以及
所述不透明材料被設(shè)置在所述臺階凹槽中。
12.一種形成半導體封裝的方法,所述方法包括:
提供引線框架;
在所述引線框架上放置第一裸片;
在所述引線框架上放置第二裸片,其中所述第一裸片和第二裸片彼此相鄰地放置;
在所述第一裸片和第二裸片之上設(shè)置透明材料;
在所述第一裸片和所述第二裸片之間并且在所述引線框架上方形成第一凹槽;
在所述透明材料中形成至少一個街道凹槽,所述至少一個街道凹槽被設(shè)置在街道上并且在所述引線框架上方;以及
在所述第一凹槽和所述街道凹槽中設(shè)置不透明材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述街道凹槽比所述第一凹槽寬。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述不透明材料附加地設(shè)置在所述透明材料的頂表面上;以及
選擇性地移除所述不透明材料的被設(shè)置在所述透明材料的頂表面上的至少一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,進一步包括在透明材料中形成街道凹槽,所述街道凹槽被設(shè)置在水平街道和垂直街道中的每一個上并且在所述引線框架上方;以及
所述不透明材料被設(shè)置在多個街道凹槽中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





