[發明專利]N型雙面太陽電池的制作方法

無效

• 申請號: 201310466420.4
• 申請日: 2013-10-09
• 公開（公告）號: CN103474516A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 賈河順;姜言森;方亮;任現坤;徐振華;張春艷;馬繼磊
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

技術領域

本發明公開了一種晶硅太陽電池的制作方法，具體涉及一種N型雙面太陽電池的制作方法。?

背景技術

從現在太陽電池發展環境上來說，隨著太陽電池的發展，設備折舊和效率提升是越來越多的生產企業必須關注的重點問題，在不改變現有設備或者經過設備改造的方法提高現有產線的效率、提高產能是企業生存發展的動力；設備的整合和再利用也是減少固定資產浪費、提高企業競爭的一種方法。?

從技術上來說，傳統晶硅雙面受光太陽電池采用兩次擴散在太陽電池的兩個表面(正面和背面)分別形成PN結，不但要在在兩個不同的設備進行不同的工藝操作，增加機臺；并且在進行第二次擴散的同時要保護第一次擴散的表面不受污染，需要更多的操作工藝才能取得預期的效果。由于工藝本身的局限性，晶硅雙面太陽電池還不能大量應用于生產。即使被看好的Sanyo?雙面HIT太陽電池也要在太陽電池的背面至少沉積兩層薄膜。這些工藝流程一般比較復雜，對設備以要求都很高。?

發明內容

本發明的目的就是針對上述存在的缺陷而提供的一種N型晶硅雙面太陽電池的制備方法，對傳統產線進行改造升級，實現太陽電池產品由單面太陽電池向雙面太陽電池的轉變，增加太陽電池的PN結面積，提高太陽光的利用率,增加太陽電池的閉路電流，達到提高效率的目的。?

本發明的一種N型雙面太陽電池的制作方法技術方案為，依次包括以下步驟：?

①晶硅表面制絨；

②在晶硅的背面局部印刷遮擋層；

③雙面硼擴散；

④去除遮擋層和硼硅玻璃層；

⑤雙面減反射膜制備；

⑥絲網印刷及燒結。

步驟②中在晶硅背面用絲網印刷、噴涂或旋涂方法形成局部遮擋層。?

步驟②中遮擋層為石蠟和/或氧化硅。?

步驟③的太陽電池的兩個表面都要充分暴露在擴散氣氛中，這樣在沒有遮擋層的部分形成太陽電池的P型層。?

步驟④中去除遮擋層用HF、HCl和HNO₃混合液進行化學腐蝕。?

步驟⑤的減反射膜為氮化硅、氧化硅、氧化鋁中的一種或者幾種。?

步驟⑥中，正面絲網印刷Ag或Al電極。?

步驟⑥中，在步驟②的遮擋層位置絲網印刷背面電極a。?

步驟⑥中，在遮擋層之外的位置印刷背面電極b。?

步驟⑥中，背面電極a為Ag電極，背面電極b為Ag或Al電極。。?

本發明的有益效果為：本發明的一種N型晶硅雙面太陽電池的制備方法，對傳統產線進行改造升級，實現太陽電池產品由單面太陽電池向雙面太陽電池的轉變，增加太陽電池的PN結面積，提高太陽光的利用率,增加太陽電池的閉路電流，達到提高效率的目的。?

本發明方法與傳統晶硅太陽電池制作方法比較，不但一次性擴散就可以實現雙面受光晶硅太陽電池，增加太陽電池的PN結面積，提高發電效率，而且可以減少邊緣隔離工藝。該結構太陽電池經PC1D軟件模擬，得到的太陽電池主要參數為：短路電流55.2mA/cm²，效率24.21%（傳統n型太陽電池短路電流40mA/cm²左右，效率19%），經過產線升級和設備改造，可以大幅提高太電池的效率。?

經過產線小量實驗，得到如下結果：短路電流可以提高到45mA/cm²，效率可以達到21.2%，相對提高效率2%以上。?

附圖說明：

圖1所示為本發明N型雙面太陽電池結構示意圖。

圖中，1.正面減反射層，2.正面電極，3.正面發射極層，4.基底，5.合金共融層，6.背面電極a，7.背面減反射層，8.背面發射極層，9.背面電極b。?

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具體實施方式：

為了更好地理解本發明，下面結合附圖來詳細說明本發明的技術方案，但是本發明并不局限于此。

實施例1?

本發明的一種N型雙面太陽電池的制作方法，依次包括以下步驟：

①在N型基底4的晶硅表面制絨；

②在晶硅的背面用絲網印刷、噴涂或旋涂方法印刷50條相互平行的寬度為1.5mm的條狀遮擋層，條狀遮擋層之間的間隔為3.3mm，遮擋層為石蠟；

③雙面硼擴散，晶硅的兩個表面都要充分暴露在擴散氣氛中，這樣在沒有遮擋層的部分形成太陽電池的正面發射極層3和背面發射極層8。