[發明專利]N型雙面太陽電池的制作方法

無效

• 申請號: 201310466420.4
• 申請日: 2013-10-09
• 公開（公告）號: CN103474516A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 賈河順;姜言森;方亮;任現坤;徐振華;張春艷;馬繼磊
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.一種N型雙面太陽電池的制作方法，依次包括以下步驟：

①晶硅表面制絨；

②在晶硅的背面局部印刷遮擋層；

③雙面硼擴散；

④去除遮擋層和硼硅玻璃層；

⑤雙面減反射膜制備；

⑥絲網印刷及燒結。

2.?根據權利要求1所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟②中在晶硅背面用絲網印刷、噴涂或旋涂方法形成局部遮擋層。

3.?根據權利要求1所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟②中遮擋層為石蠟和/或氧化硅。

4.?根據權利要求1所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟④中去除遮擋層用HF、HCl和HNO₃混合液進行化學腐蝕。

5.?根據權利要求1所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟⑤的減反射膜為氮化硅、氧化硅、氧化鋁中的一種或者幾種。

6.?根據權利要求1所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，正面絲網印刷Ag或Al電極。

7.?根據權利要求1所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，在步驟②的遮擋層位置絲網印刷背面電極a。

8.?根據權利要求7所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，在遮擋層之外的位置印刷背面電極b。

9.?根據權利要求7所述的N型雙面太陽電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，背面電極a為Ag電極，背面電極b為Ag或Al電極。