[發明專利]高效率硅控整流裝置

有效

• 申請號: 201310464229.6
• 申請日: 2013-10-08
• 公開（公告）號: CN103579203A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 陳東旸;彭政杰;吳偉琳;姜信欽
• 申請（專利權）人: 晶焱科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L29/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;李涵

1.一種高效率硅控整流裝置，其特征在于，包含：

一P型基板；

一N型井區，其設于該P型基板中；

一第一P型重摻雜區，其設于該N型井區中，并連接一高電壓端；

至少一第一N型重摻雜區，其設于該N型井區中，并連接該高電壓端；

多個第二N型重摻雜區，其均勻地設于該N型井區中，該多個第二N型重摻雜區與該第一N型重摻雜區位于該第一P型重摻雜區的外側；

多個第二P型重摻雜區，其均勻地設于該P型基板中，并較該第一N型重摻雜區更接近該多個第二N型重摻雜區，且均勻地設于該N型井區的外側；以及

至少一第三N型重摻雜區，其設于該P型基板中，并連接一低電壓端，該多個第二P型重摻雜區設于該第三N型重摻雜區與該N型井區之間，該多個第二N型重摻雜區與該多個第二P型重摻雜區是符合第一條件、第二條件或此二者，該第一條件為該多個第二N型重摻雜區向該第三N型重摻雜區延伸，并設于該P型基板中，該第二條件為該多個第二P型重摻雜區向該第一P型重摻雜區延伸，并設于該N型井區中。

2.如權利要求1所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該第一N型重摻雜區與該多個第二N型重摻雜區設于該第一P型重摻雜區的外圍。

3.如權利要求1所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該第一N型重摻雜區的數量為二，該第三N型重摻雜區的數量為二。

4.如權利要求1所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該多個第二N型重摻雜區沿該N型井區的側壁排成一行，該多個第二P型重摻雜區沿該N型井區的該側壁排成一行。

5.如權利要求1所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該第三N型重摻雜區的二端向該N型井區延伸，以縮短介于該第三N型重摻雜區與該N型井區的寬度。

6.一種高效率硅控整流裝置，其特征在于，包含：

一N型基板；

一P型井區，其設于該N型基板中，以圍繞該N型基板的一N型區域；

一第一P型重摻雜區，其設于該N型區域中，并連接一高電壓端；

至少一第一N型重摻雜區，其設于該N型區域中，并連接該高電壓端；

多個第二N型重摻雜區，其均勻地設于該N型區域中，該多個第二N型重摻雜區與該第一N型重摻雜區位于該第一P型重摻雜區的外側；

多個第二P型重摻雜區，其均勻地設于該P型井區中，并較該第一N型重摻雜區更接近該多個第二N型重摻雜區，且均勻地設于該N型區域的外側；以及

至少一第三N型重摻雜區，其設于該P型井區中，并連接一低電壓端，該多個第二P型重摻雜區設于該第三N型重摻雜區與該N型區域之間，該多個第二N型重摻雜區與該多個第二P型重摻雜區系符合第一條件、第二條件或此二者，該第一條件為該多個第二N型重摻雜區向該第三N型重摻雜區延伸，并設于該P型井區中，該第二條件為該多個第二P型重摻雜區向該第一P型重摻雜區延伸，并設于該N型區域中。

7.如權利要求6所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該第一N型重摻雜區與該多個第二N型重摻雜區設于該第一P型重摻雜區的外圍。

8.如權利要求6所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該第一N型重摻雜區的數量為二，該第三N型重摻雜區的數量為二。

9.如權利要求6所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該多個第二N型重摻雜區沿該N型區域的側壁排成一行，該多個第二P型重摻雜區沿該N型區域的該側壁排成一行。

10.如權利要求6所述的高效率硅控整流裝置，其特征在于，該第三N型重摻雜區的二端向該N型區域延伸，以縮短介于該第三N型重摻雜區與該P型井區的寬度。