[發明專利]高壓絕緣子污穢成分測定方法有效
| 申請號: | 201310461244.5 | 申請日: | 2013-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103674990A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 陸國俊;王勇;黃青丹;宋浩永;王勁;黃慧紅;張德智;趙崇智;劉靜;徐詩穎;吳培偉;李聃;裴利強;呂慧媛;李助亞;練穆森 | 申請(專利權)人: | 廣州供電局有限公司 |
| 主分類號: | G01N23/227 | 分類號: | G01N23/227;G01N21/25;G01N21/73;G01N30/02 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 萬志香;曾旻輝 |
| 地址: | 510620 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高壓 絕緣子 污穢 成分 測定 方法 | ||
1.一種高壓絕緣子污穢成分測定方法,其特征在于,具體步驟如下:
A、樣品預處理:
取高壓絕緣子污穢樣品,烘干得樣品1;
B、定性及半定量分析:
B1、利用X-射線光電子能譜儀對樣品1進行測試,確定樣品1中元素種類及相對含量,所述X-射線光電子能譜儀測試的工藝參數為:Al?Kα為激發源,靶電壓和靶電流分別為15kV和10mA,真空室氣壓小于4×10-6Pa,分析器傳輸能量為50eV,測量步長為0.1eV,濺射角度為45°,濺射速度為0.2nm/s,濺射面積為2mm×2mm;
B2、利用傅立葉變換紅外光譜儀對樣品1進行測試,確定樣品1中的化學基團種類;所述傅立葉變換紅外光譜儀測試的工藝參數為:紅外光譜分辨率4cm-1,測量范圍4000~400cm-1,掃描信號累加16次;
C、定量分析:
C1、取樣品1,精確稱量,用超純水溶解、超聲波分散、靜置22-26小時后用100ml定容瓶定容、采用0.35-0.55μm的濾膜進行過濾,取濾液,得樣品2;所述超聲波分散的工藝條件為在70-90℃的條件下,用超聲波分散器分散12-18分鐘;
C2、根據所述步驟B1的測試結果,將樣品2進行ICP測試,測定樣品2中的陽離子含量,所述ICP測試工藝參數為:射頻功率1000-1200W,載氣1-1.4L/min,冷卻氣14-18L/min,等離子氣1-1.2L/min,凈化氣3.3-3.7L/min,觀察高度13-17mm,積分時間4-8s;
C3、根據所述步驟B2的測試結果,將樣品2進行IC測試,測定樣品2中的陰離子含量,所述IC測試的工藝參數為:色譜柱:AS9-HC型陰離子分析柱,AS9-HC型保護柱;流動相:1.6-1.8mmol/L碳酸氫鈉+1.7-1.9mmol/L碳酸鈉淋洗液;45-55mmol/L硫酸抑制器再生液;進樣體積:23-27μL;流速:1.4-1.6mL/min。
2.根據權利要求1所述的高壓絕緣子污穢成分測定方法,其特征在于,所述步驟C2中的ICP測試工藝參數為:射頻功率1100W,載氣1.2L/min,冷卻氣16L/min,等離子氣1.1L/min,凈化氣3.5L/min,觀察高度15mm,積分時間6s。
3.根據權利要求1所述的高壓絕緣子污穢成分測定方法,其特征在于,所述步驟C3中的IC測試工藝參數為:色譜柱:AS9-HC型陰離子分析柱,AS9-HC型保護柱;流動相:1.7mmol/L碳酸氫鈉+1.8mmol/L碳酸鈉淋洗液;50mmol/L硫酸抑制器再生液;進樣體積:25μL;流速:1.5mL/min。
4.根據權利要求1所述的高壓絕緣子污穢成分測定方法,其特征在于,所述步驟C1中,超聲波分散的工藝條件為:在80℃的條件下,用超聲波分散器分散15分鐘。
5.根據權利要求1所述的高壓絕緣子污穢成分測定方法,其特征在于,所述步驟C1中,靜置的時間為24小時。
6.根據權利要求1所述的高壓絕緣子污穢成分測定方法,其特征在于,所述步驟C1中,過濾采用0.45μm的濾膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州供電局有限公司,未經廣州供電局有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310461244.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種氣門橋及其導向裝置
- 下一篇:一種插接式燈具





