[發明專利]一種電極及其制作方法、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201310460786.0 | 申請日: | 2013-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN103489902A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 姚琪;張鋒;曹占鋒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/45 | 分類號: | H01L29/45;H01L21/28;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電極 及其 制作方法 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種電極及其制作方法、陣列基板及顯示裝置。
背景技術
在平板顯示技術領域,大尺寸、高分辨率以及高畫質的平板顯示裝置,如液晶電視,在當前的平板顯示器市場已經占據了主導地位。
目前,圖像信號的延遲成為制約大尺寸、高分辨率及高畫質平板顯示裝置的關鍵因素之一。降低陣列基板中的各種電極和電極線的電阻對減小圖像信號的延遲起有效作用。現有技術通過降低陣列基板中的TFT的源極、漏極、柵極以及柵線、數據線,和陣列基板中的公共電極等的電阻減小圖像信號的延遲,提高圖像的畫質。
一般地,通過電阻較小的銅金屬Cu作為所述源極、漏極、柵極以及柵線、數據線和公共電極等,以減小圖像信號的延遲,但是存在以下缺點:
Cu在較高溫度的條件下(如450℃),Cu離子會擴散并穿過絕緣層,從而會影響TFT的性能。
為了解決上述問題,一般的做法為在Cu金屬層的兩側制作Cu阻擋層,Cu阻擋層一般通過鉬Mo、鈦Ti等金屬或合金制作而成。但是,鉬Mo、鈦Ti等金屬或合金的刻蝕難度較大,制作過程對后續工藝產生不利的影響,導致制作TFT陣列基板的制作工藝流程復雜,制作成本較高。
發明內容
本發明實施例提供一種電極及其制作方法、陣列基板及顯示裝置,用以簡化具有隔離作用的電極的制作工藝流程。
為實現上述目的,本發明實施例提供的一種電極包括:
位于基板上的第一金屬隔離層;
位于第一金屬隔離層上的第一銅金屬層;
位于第一銅金屬層上的第二金屬隔離層。
較佳地,所述第一金屬隔離層和第二金屬隔離層的材質相同。
較佳地,所述第一金屬隔離層和第二金屬隔離層為包括鉬、錳、鎢、鉭、銀、鈦和錫中至少之一的膜層。
較佳地,還包括位于第一金屬隔離層和第二金屬隔離層之間的第二銅金屬層,以及位于第一銅金屬層和第二銅金屬層之間的銅合金層。
較佳地,所述銅合金層為包括銅以及鉬、錳、鎢、鉭、銀、鈦和錫中至少一種金屬的銅合金層。
本發明實施例提供的一種電極的制作方法,包括:
在基板上形成覆蓋所述基板的第一銅合金層;
根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝,形成按所述圖形分布的初始電極;
對形成有所述初始電極的基板進行退火工藝,使初始電極中的非銅金屬離子向電極表面擴散,得到表面由所述非銅金屬離子擴散后形成的具有第一金屬隔離層和第二金屬隔離層的電極。
較佳地,在基板上形成第一銅合金層之后,根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝之前還包括:
在第一銅合金層上形成第二銅合金層;
根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝的同時還包括根據所述預設電極圖形對所述第二銅合金層進行構圖工藝,所述初始電極由第一銅合金層和第二銅合金層形成。
較佳地,在基板上形成第一銅合金層之后,根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝之前還包括:
依次在所述第一銅合金層上形成第三銅合金層和第二銅合金層,第三銅合金層與所述第二銅合金層和第一銅合金層的材料不同;
根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝的同時還包括根據所述預設電極圖形對第二銅合金層和第三銅合金層進行構圖工藝,所述初始電極由第一銅合金層、第二銅合金層和第三銅合金層形成。
較佳地,在基板上形成第一銅合金層之后,根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝之前還包括:
依次在所述第一銅合金層上形成銅金屬層和第二銅合金層;
根據預設電極圖形對所述第一銅合金層進行構圖工藝的同時還包括根據所述預設電極圖形對第二銅合金層和銅金屬層進行構圖工藝,所述初始電極由第一銅合金層、銅金屬層和第二銅合金層形成。
較佳地,所述第一銅合金層和第二銅合金層的材料相同。
較佳地,對形成有所述電極圖形的基板進行退火工藝具體為:
在惰性氣體環境中,退火溫度范圍為250~600℃,且退火時間為20~120分鐘的條件下對形成有所述電極圖形的基板進行退火。
較佳地,采用熱蒸鍍工藝,在氧氣等離子體環境中依次蒸鍍第一銅合金層、第三銅合金層和第二銅合金層。
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