[發(fā)明專利]一種電極及其制作方法、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310460786.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103489902A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚琪;張鋒;曹占鋒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/45 | 分類號(hào): | H01L29/45;H01L21/28;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電極 及其 制作方法 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種電極,其特征在于,包括:
位于基板上的第一金屬隔離層;
位于第一金屬隔離層上的第一銅金屬層;
位于第一銅金屬層上的第二金屬隔離層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,所述第一金屬隔離層和第二金屬隔離層的材質(zhì)相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極,其特征在于,所述第一金屬隔離層和第二金屬隔離層為包括鉬、錳、鎢、鉭、銀、鈦和錫中至少之一的膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的電極,其特征在于,還包括位于第一金屬隔離層和第二金屬隔離層之間的第二銅金屬層,以及位于第一銅金屬層和第二銅金屬層之間的銅合金層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電極,其特征在于,所述銅合金層為包括銅以及鉬、錳、鎢、鉭、銀、鈦和錫中至少一種金屬的銅合金層。
6.一種電極的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成覆蓋所述基板的第一銅合金層;
根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝,形成按所述圖形分布的初始電極;
對(duì)形成有所述初始電極的基板進(jìn)行退火工藝,使初始電極中的非銅金屬離子向電極表面擴(kuò)散,得到表面由所述非銅金屬離子擴(kuò)散后形成的具有第一金屬隔離層和第二金屬隔離層的電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在基板上形成第一銅合金層之后,根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝之前還包括:
在第一銅合金層上形成第二銅合金層;
根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝的同時(shí)還包括根據(jù)所述預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第二銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝,所述初始電極由第一銅合金層和第二銅合金層形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在基板上形成第一銅合金層之后,根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝之前還包括:
依次在所述第一銅合金層上形成第三銅合金層和第二銅合金層,第三銅合金層與所述第二銅合金層和第一銅合金層的材料不同;
根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝的同時(shí)還包括根據(jù)所述預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)第二銅合金層和第三銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝,所述初始電極由第一銅合金層、第二銅合金層和第三銅合金層形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在基板上形成第一銅合金層之后,根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝之前還包括:
依次在所述第一銅合金層上形成銅金屬層和第二銅合金層;
根據(jù)預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)所述第一銅合金層進(jìn)行構(gòu)圖工藝的同時(shí)還包括根據(jù)所述預(yù)設(shè)電極圖形對(duì)第二銅合金層和銅金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝,所述初始電極由第一銅合金層、銅金屬層和第二銅合金層形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述第一銅合金層和第二銅合金層的材料相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求6-9任一權(quán)項(xiàng)所述的方法,其特征在于,對(duì)形成有所述電極圖形的基板進(jìn)行退火工藝具體為:
在惰性氣體環(huán)境中,退火溫度范圍為250~600℃,且退火時(shí)間為20~120分鐘的條件下對(duì)形成有所述電極圖形的基板進(jìn)行退火。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,采用熱蒸鍍工藝,在氧氣等離子體環(huán)境中依次蒸鍍第一銅合金層、第三銅合金層和第二銅合金層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,采用熱蒸鍍工藝,在氧氣等離子體環(huán)境中依次蒸鍍第一銅合金層、第三銅合金層和第二銅合金層,具體為:采用熱蒸鍍工藝,在氧氣等離子體環(huán)境中蒸鍍覆蓋所述基板的銅鉬合金、銅錳合金、銅鎢合金、銅鉈合金、銅銀合金、銅鈦合金或銅錫合金的膜層,作為第一銅合金層;
采用熱蒸鍍工藝,在氧氣等離子體環(huán)境中蒸鍍覆蓋所述基板的銅鉬合金、銅錳合金、銅鎢合金、銅鉈合金、銅銀合金、銅鈦合金或銅錫合金的膜層,作為第三銅合金層;
采用熱蒸鍍工藝,在氧氣等離子體環(huán)境中蒸鍍覆蓋所述基板的銅鉬合金、銅錳合金、銅鎢合金、銅鉈合金、銅銀合金、銅鈦合金或銅錫合金的膜層,作為第二銅合金層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一銅合金層、第三銅合金層或第二銅合金層中的銅與合金中的另一種金屬的原子百分比為0.1%~30%。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





