[發明專利]一種磁控濺射在硅上制錳鐵薄膜的方法無效
| 申請號： | 201310460062.6 | 申請日： | 2013-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN104513963A | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發明（設計）人： | 袁萍 | 申請（專利權）人： | 無錫慧明電子科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市錫山區錫山*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磁控濺射 硅上制 錳鐵 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在硅襯底上磁控濺射制備鐵磁性錳硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：
1)以硅單晶為襯底材料；
2)采用磁控濺射方法，選擇錳靶和鐵靶兩個靶；
3)將硅單晶襯底送入磁控濺射儀制備室；
4)襯底為室溫或加溫，錳靶和鐵靶共濺射制備錳-鐵薄膜；
5)退火，在硅單晶襯底上形成錳鐵薄膜，該錳鐵薄膜表現室溫鐵磁特性。
2.根據權利要求1所述的在硅襯底上磁控濺射制備鐵磁性錳鐵薄膜的方法，其特征在于，其中磁控濺射儀的工作氣體采用氬氣。
3.根據權利要求1所述的在硅襯底上磁控濺射制備鐵磁性錳鐵薄膜的方法，其特征在于，其中所述的硅襯底溫度保持在20～400℃。
4.根據權利要求1所述的在硅襯底上磁控濺射制備鐵磁性錳鐵薄膜的方法，其特征在于，其中所選擇的退火是選擇在真空退火或者保護氣體氣氛退火，退火溫度范圍為500℃～900℃；保護氣體為氮氣和氬氣。
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