[發明專利]一種高硅鋁合金陽極氧化方法及其設備

有效

• 申請號: 201310457289.5
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103484914B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 王才照
• 申請（專利權）人: 東莞市容邦尚電子科技有限公司
• 主分類號: C25D11/10
• 分類號: C25D11/10;C25D11/18;C25D11/16
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙)44268
• 代理人: 王永文,劉文求

技術領域

本發明涉及金屬表面處理技術領域，尤其涉及一種高硅鋁合金陽極氧化方法及其設備。

背景技術

擠型純鋁合金陽極氧化是成熟的表面處理技術，但是該技術和設備在高硅壓鑄鋁的結構復雜表面陽極氧化的膜層往往有色差，黃斑等不良外觀，無法實現膜層外觀均勻，尺寸精密，硬度高的要求，更難實現自動化生產，因此美軍標準MIL-A-8625F3.6規定陽極氧化涂層“鑄造鋁合金可能會顯示出與鑄件固有的特性相關的染色溢出痕或失色（或顏色不一致）”。另一方面，高硅鋁合金容易壓鑄成型的特性使得壓鑄企業發展迅猛，而高硅壓鑄鋁的陽極氧化膜層性能成為壓鑄行業優勢發揮的瓶頸。目前高硅壓鑄鋁的陽極氧化存在的主要問題有：

1．擠型純鋁合金陽極氧化技術前處理使用磷酸化學拋光等污染嚴重的藥液，而且會造成多成分的壓鑄鋁表面腐蝕，無法形成致密氧化層；

2．擠型純鋁合金陽極氧化技術整流器大多是單段穩壓控制，沒有多段智能化控制電壓電流，造成氧化膜的生成速度與腐蝕速度差值小，實現不了壓鑄鋁的厚膜層，膜層不均勻；

3.?高硅鋁合金在陽極氧化前一般要除硅，而除硅后都要干燥才能保證后工序藥液的穩定，而目前市面設計鋁合金陽極氧化自動流水線沒有將烤箱設計在自動流水線上。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種高硅鋁合金陽極氧化方法及其設備，旨在解決目前高硅壓鑄鋁陽極氧化存在的氧化膜層不均勻，硬度低、外觀差等問題。

本發明的技術方案如下：

一種高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述方法包括以下步驟：

A、將高硅鋁合金壓鑄件除油后進行磨料水射流拋光處理；

B、將經磨料水射流拋光處理后的高硅鋁合金壓鑄件放入預先配制的陽極槽液中，采用矩形波脈沖電壓進行陽極氧化反應15-35分鐘，至陽極氧化膜層達到預定厚度后停止陽極氧化反應；

C、將形成所述陽極氧化膜層的高硅鋁合金壓鑄件洗水、染色后進行封孔處理后得到成品。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述步驟C中所述形成陽極氧化膜層的高硅鋁合金壓鑄件經封孔處理后還要進行吹水、干燥處理后得到成品。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述干燥處理是通過自動烘烤箱進行。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述步驟A中除油時間為5-10分鐘。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述預先配制的陽極槽液中包括以下組分：

硫酸250-300克/L，草酸20-35克/L，檸檬酸20-35克/L，酒石酸10-15克/L。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述步驟B中將經磨料水射流拋光處理后的高硅鋁合金壓鑄件放入預先配制的陽極槽液中具體為：將經磨料水射流拋光處理后的高硅鋁合金壓鑄件在60-120秒時間內放入預先配制的陽極槽液中。

所述矩形波脈沖電壓高電平為7-9v，維持時間為40-100s，低電平為5-6v，維持時間為8-10s。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述陽極氧化膜層的預定厚度為20-22?μm。

所述的高硅鋁合金陽極氧化方法，其中，所述封孔處理是將染色后的高硅鋁合金壓鑄件進行90℃封孔處理。

一種實現如上所述的高硅鋁合金陽極氧化方法的設備，其中，所述設備包括：

除油槽，用于對所述高硅鋁合金壓鑄件進行除油；

磨料水射流拋光機，用于對除油后的高硅鋁合金壓鑄件進行磨料水射流拋光處理；

陽極槽，用于盛放對高硅鋁合金壓鑄件進行陽極氧化反應的所述陽極槽液；

多段智能電腦控制整流器，用于形成所述矩形波脈沖電壓并配合所述陽極槽液進行陽極氧化反應；

染色槽，用于對經所述洗水后的高硅鋁合金壓鑄件進行染色處理；

90℃封孔槽，用于對染色后的高硅鋁合金壓鑄件進行封孔處理；

自動烘烤箱，用于對封孔處理及吹水處理后的高硅鋁合金壓鑄件進行干燥。

有益效果：本發明提供一種高硅鋁合金陽極氧化方法及其設備。通過對高硅鋁合金壓鑄件陽極氧化反應的前處理、陽極氧化反應、后處理工藝進行改進，使得所制備的高硅壓鑄鋁合金表面形成膜層均勻、尺寸精度高、致密美觀的氧化層，相較于傳統工藝，本發明的加工工藝更環保，加工成本更低，更易實現大規模工業化生產，且所加工的高硅壓鑄鋁合金表面氧化層具有精密超硬色澤均勻的優點，具有極強的市場競爭力。

附圖說明