[發明專利]基于磁共振彌散加權成像確定腦缺血特征的方法和裝置

有效

• 申請號: 201310455392.6
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104510470B
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發明（設計）人: 胡慶茂;鄭惠敏
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055;G06F19/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所44237
• 代理人: 張全文

1.一種基于磁共振彌散加權成像確定腦缺血特征的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

腦缺血區域確定模塊，用于通過待測病人的磁共振彌散加權成像確定所述待測病人的腦缺血區域，所述腦缺血區域包括核心區域和過渡區域；

灰度分布參數確定模塊，用于根據所述核心區域和過渡區域內的彌散表觀系數ADC值，確定所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內彌散加權圖像DWI灰度分布參數，所述DWI灰度分布參數包括所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI的均方差DWI_sd；

判定模塊，用于根據所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI的均方差DWI_sd，判定所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI與所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內的ADC值是否失配；

所述灰度分布參數確定模塊包括：

第一確定單元，用于將所述核心區域和過渡區域內ADC值小于C×ADC_ref的區域確定為所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域，所述C為[0.6，0.7]中的常數，所述ADC_ref為正常腦組織的ADC值；

第二計算單元，用于計算所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI灰度分布參數。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述腦缺血區域確定模塊包括：

第一計算單元，用于計算所述磁共振彌散加權成像中體素的ADC值，將所述磁共振彌散加權成像中體素的ADC值小于D₁×ADC_ref的區域確定為所述核心區域，將所述磁共振彌散加權成像中體素的ADC在[D₁×ADC_ref，D₂×ADC_ref]并且與所述核心區域在空間相鄰的區域確定為所述過渡區域，所述ADC_ref為正常腦組織的ADC值，所述D₁為[0.6，0.7]內的任意常數，所述D₂為[0.8，0.9]內的任意常數。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述判定模塊包括：

第三確定子模塊，用于通過獲取的N個病人是否溶栓和病人的預后好壞的統計數據，確定用于判定所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI與所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內的ADC值是否失配的閾值Thresh_DWI，所述N為大于1的自然數；

第一判定子模塊，用于若所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI的均方差DWI_sd不小于所述閾值Thresh_DWI，則判定所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI與所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內的ADC值失配。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第三確定子模塊包括：

統計單元，用于通過對所述N個病人中DWI_sd大于或等于待定閾值Thresh₁時溶栓后預后不好與不溶栓而預后好的病人數之和S_TP、DWI_sd小于所述待定閾值Thresh₁時溶栓后預后好與不溶栓而預后不好的病人數之和S_TN、DWI_sd大于或等于所述待定閾值Thresh₁時溶栓后預后好與不溶栓而預后不好的病人數之和S_FP以及DWI_sd小于所述待定閾值Thresh₁時溶栓后預后不好與不溶栓而預后好的病人數之和S_FN進行統計，獲取表征靈敏度的值S_TP/(S_TP+S_FN)和表征特異性的值S_TN/(S_FP+S_TN)；

求取單元，用于求取使得S_TP/(S_TP+S_FN)+S_TN/(S_FP+S_TN)最大時所述待定閾值Thresh₁的值，以所述使得S_TP/(S_TP+S_FN)+S_TN/(S_FP+S_TN)最大時所述待定閾值Thresh₁的值作為所述用于判定所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內DWI與所述磁共振彌散加權成像中低ADC值的區域內的ADC值是否失配的閾值Thresh_DWI。