[發(fā)明專利]一種結(jié)型場效應(yīng)管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310455231.7
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104518008B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘光燃;石金成;高振杰;文燕;王焜
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/06;H01L29/808
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

1.一種結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述結(jié)型場效應(yīng)管包括：

P型襯底；

位于所述P型襯底上表層中的第一N型輕摻雜區(qū)，位于所述第一N型輕摻雜區(qū)兩端的上表層中的第一N型重?fù)诫s區(qū)和第二N型重?fù)诫s區(qū)，所述第一N型重?fù)诫s區(qū)和所述第二N型重?fù)诫s區(qū)分別作為所述結(jié)型場效應(yīng)管的漏極和源極；

位于所述漏極和所述源極之間的第一場氧化層；

靠近所述源極的正柵；

位于所述第一N型輕摻雜區(qū)底部且位于所述漏極下方的第二N型輕摻雜區(qū)，所述第二N型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一N型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度；

位于所述第一N型輕摻雜區(qū)底部且位于所述正柵下方的第一P型輕摻雜區(qū)，所述第一P型輕摻雜區(qū)作為所述結(jié)型場效應(yīng)管的背柵；

位于所述第二N型輕摻雜區(qū)和第一P型輕摻雜區(qū)之間且靠近所述第二N型輕摻雜區(qū)的第二P型輕摻雜區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述結(jié)型場效應(yīng)管還包括：

位于所述P型襯底上表層中的P型重?fù)诫s區(qū)，用于將所述背柵從所述P型襯底的上表面引出并減小引出時(shí)的接觸電阻；

位于所述P型重?fù)诫s區(qū)和所述源極之間的第二場氧化層，用于隔離所述P型重?fù)诫s區(qū)和所述源極。

3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述正柵為位于所述第一場氧化層上表面且靠近所述源極的多晶硅。

4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述第一N型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述P型襯底的摻雜濃度。

5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述第一P型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一N型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度。

6.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述第二P型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一N型輕摻雜區(qū)的摻雜濃度。

7.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述第二P型輕摻雜區(qū)包括若干個(gè)島狀P型輕摻雜單元。

8.如權(quán)利要求7所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于，所述P型輕摻雜單元之間的間隔距離為0.5-5微米。