[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201310455200.1 | 申請日: | 2013-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103500746A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發明(設計)人: | 蔡振飛;羅麗平;郝昭慧 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
平板顯示裝置相比與傳統的陰極射線管顯示裝置具有輕薄、驅動電壓低、沒有閃爍抖動以及使用壽命長等優點;平板顯示裝置分為主動發光顯示裝置與被動發光顯示裝置;例如,薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display,TFT-LCD)就是一種被動發光顯示裝置,由于其具有畫面穩定、圖像逼真、消除輻射、節省空間以及節省能耗等優點,被廣泛應用于電視、手機、顯示裝置等電子產品中,已占據了平面顯示領域的主導地位。
液晶顯示裝置主要包括液晶顯示面板以及驅動該液晶顯示面板的驅動裝置;液晶顯示面板主要包括相對設置的第一基板和第二基板;通常,第一基板和第二基板分別為陣列基板和彩膜基板,陣列基板包括縱橫交錯設置的多條數據線以及多條掃描線,數據線和掃描線限定出一個個像素區域,每個像素區域均設置有薄膜晶體管。驅動裝置包括將掃描信號輸出至掃描線的柵極驅動電路以及將數據信號輸出至數據線是源極驅動電路。
如圖1中所示,數據線1的端部為貼合區域2,即與源極驅動電路或者其他控制電路連接的區域,相鄰貼合區域2之間的區域為非貼合區域3,在貼合區域2以及非貼合區域3均覆蓋有鈍化層5,從而起到防止數據線1被氧化以及受到物理損傷;在鈍化層5上開設有過孔4,源極驅動電路或者其他控制電路通過過孔4與數據線1連接。如圖3中所示,由于現有技術中,貼合區域2覆蓋的鈍化層與襯底基板之間還設置有數據線1以及有源層8等,這樣造成貼合區域2覆蓋的鈍化層與非貼合區域3覆蓋的鈍化層的高度差異很大,因此時常發生如圖2中所示的鈍化層脫落現象,例如,圖示中的A區域即鈍化層脫落的區域。在鈍化層脫落之后,暴露出的數據線1很容易被氧化或者受到物理損傷或者被污染物腐蝕,從而引起接線不良。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明的目的在于提供一種能夠改善貼合區域覆蓋的鈍化層與非貼合區域覆蓋的鈍化層脫落現象的陣列基板;進一步的,本發明還提供了一種該陣列基板的制備方法以及應用該陣列基板的顯示裝置。
(二)技術方案
本發明技術方案如下:
一種陣列基板,包括襯底基板以及設置在所述襯底基板上的多列數據線;各列數據線的端部為貼合區域,相鄰貼合區域之間的區域為非貼合區域,所述非貼合區域覆蓋有鈍化層;所述非貼合區域覆蓋的鈍化層與襯底基板之間設置有增高層。
優選的,所述陣列基板上還設置有柵極金屬層;所述增高層與所述柵極金屬層同層設置且材質相同。
優選的,所述數據線的端部與襯底基板之間設置有有源層;所述增高層的厚度等于所述數據線與所述有源層的厚度之和。
優選的,所述增高層的長度不小于所述貼合區域的長度。
本發明還提供一種陣列基板制備方法:
一種陣列基板制備方法,包括形成上述任意一種增高層的步驟。
優選的,包括:
同時形成柵極金屬層以及增高層;
形成柵絕緣層、有源層、數據線、源漏金屬層、鈍化層以及過孔。
優選的,所述同時形成柵極金屬層以及增高層進一步包括:
在襯底基板上沉積金屬薄膜;
通過構圖工藝形成所述柵極金屬層以及增高層圖案。
優選的,所述形成所述柵極金屬層以及增高層圖案進一步包括:
在所述金屬薄膜上涂覆一層光刻膠;
通過掩膜板曝光,形成對應所述增高層以及柵極金屬層的光刻膠保留區域以及對應上述區域之外區域的光刻膠去除區域;
顯影處理后,通過刻蝕工藝去除光刻膠去除區域的金屬薄膜;
剝離剩余的光刻膠。
本發明還提供了一種包括上述任意一種陣列基板的顯示裝置。
(三)有益效果
本發明所提供的陣列基板,通過在非貼合區域覆蓋的鈍化層與襯底基板之間增加增高層,從而減少或者消除了貼合區域覆蓋的鈍化層與非貼合區域覆蓋的鈍化層高度差異,使貼合區域覆蓋的鈍化層和非貼合區域覆蓋的鈍化層平坦化,從而改善了貼合區域覆蓋的鈍化層與非貼合區域覆蓋的鈍化層脫落問題,降低了接線不良現象的發生,提高了產品的可靠性。
附圖說明
圖1是現有技術中數據線貼合區域以及非貼合區域的結構示意圖;
圖2是圖1中數據線貼合區域以及非貼合區域發生鈍化層脫落現象后的結構示意圖;
圖3是圖1在A-A方向的剖面示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310455200.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:Ⅲ族氮化物半導體器件及其制造方法
- 下一篇:陣列基板的防靜電結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





