[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310455200.1 | 申請日: | 2013-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103500746A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔡振飛;羅麗平;郝昭慧 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括襯底基板以及設(shè)置在所述襯底基板上的多列數(shù)據(jù)線;各列數(shù)據(jù)線的端部為貼合區(qū)域,相鄰貼合區(qū)域之間的區(qū)域為非貼合區(qū)域,所述非貼合區(qū)域覆蓋有鈍化層;其特征在于,所述非貼合區(qū)域覆蓋的鈍化層與襯底基板之間設(shè)置有增高層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板上還設(shè)置有柵極金屬層;所述增高層與所述柵極金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述數(shù)據(jù)線的端部與襯底基板之間設(shè)置有有源層;所述增高層的厚度等于所述數(shù)據(jù)線與所述有源層的厚度之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板,其特征在于,所述增高層的長度不小于所述貼合區(qū)域的長度。
5.一種陣列基板制備方法,其特征在于,包括形成權(quán)利要求1-4任意一項所述的增高層的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板制備方法,其特征在于,包括:
同時形成柵極金屬層以及增高層;
形成柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線、源漏金屬層、鈍化層以及過孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述同時形成柵極金屬層以及增高層進一步包括:
在襯底基板上沉積金屬薄膜;
通過構(gòu)圖工藝形成所述柵極金屬層以及增高層圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板制備方法,其特征在于,所述形成所述柵極金屬層以及增高層圖案進一步包括:
在所述金屬薄膜上涂覆一層光刻膠;
通過掩膜板曝光,形成對應(yīng)所述增高層以及柵極金屬層的光刻膠保留區(qū)域以及對應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域;
顯影處理后,通過刻蝕工藝去除光刻膠去除區(qū)域的金屬薄膜;
剝離剩余的光刻膠。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-4任意一項所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





