[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310455196.9
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104518116A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光(Organic?Light?Emission?Diode)，以下簡稱OLED，具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。

透明有機電致發(fā)光器件（TOLED）是OLED的一種，它在加電時陽極和陰極兩面都可發(fā)射光，而不加電時成透明狀的特性，開辟了顯示領(lǐng)域的一個特殊應(yīng)用方向。但在有些實際應(yīng)用中，需要有機電致發(fā)光器件在不加電時成透明狀的特性，而在加電時不需要兩面都高效出光，陽極和陰極出光保持合適的對比度即可，這樣的情況下，現(xiàn)有兩面高效出光的透明有機電致發(fā)光器件將導(dǎo)致較大的光損失。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。通過制備復(fù)合結(jié)構(gòu)的陰極，且將第一陰極層設(shè)置成條狀間隔分布，最終獲得到了在未點亮?xí)r可作為透明產(chǎn)品，而在正常工作時陽極和陰極出光對比度為30～40:1的有機電致發(fā)光器件。

一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽極基板和依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的發(fā)光功能層和陰極，所述陰極包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的第一陰極層和第二陰極層；

所述第一陰極層包括多個呈條狀間隔設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的金屬層，所述金屬層的材料為Al、Ag、Au、Cu、Ca或Ba；

所述第二陰極層包括依次層疊設(shè)置在所述第一陰極層上的金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；所述金屬氧化物層的材料為Nb₂O₅、V₂O₅和Ta₂O₅中的至少兩種，所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。

本發(fā)明將陰極設(shè)置成上述的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以使得器件在未點亮?xí)r呈透明狀，將金屬層呈條狀間隔設(shè)置在發(fā)光功能層上，當(dāng)器件點亮?xí)r，能夠使陰極面的部分光出射，而另一部分光被反射回器件內(nèi)部，從而減少不必要的光損失，獲得合適的陽極陰極出光對比度。金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層的設(shè)置可以增加電子注入，其中，金屬氧化物層的Nb₂O₅、V₂O₅和Ta₂O₅具有散射作用，因此金屬氧化物層可作為內(nèi)散射層增強出光效率，合金層鎂-銀合金和鋰-鋁合金的功函分別為3.2eV左右和3.7eV左右，比單質(zhì)鋁和銀等常用的金屬要低，導(dǎo)電氧化物薄膜層提供導(dǎo)電薄膜，透光率較高，同時化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。本發(fā)明有機電致發(fā)光器件陽極面采用高出光材質(zhì)，陰極面出光率相對較差、陰極面條狀間隔設(shè)置的第一陰極層對光產(chǎn)生反射，第二陰極層可對光進行透射，從而決定了陽極和陰極的出光對比度。本發(fā)明有機電致發(fā)光器件在正常工作時陽極和陰極出光對比度為30～40:1。

本發(fā)明第二陰極層設(shè)置在第一陰極層上是指，第二陰極層設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的金屬層和未被金屬層覆蓋的表面。

優(yōu)選地，所述金屬層的寬度為100μm～150μm，相鄰兩個所述金屬層之間的距離為100μm～150μm。

優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為100nm～200nm。

優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為30nm～50nm。

優(yōu)選地，所述合金層的厚度為10nm～20nm。

優(yōu)選地，所述Nb₂O₅、V₂O₅和Ta₂O₅在金屬氧化物層中的摩爾用量相等。

優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為8～13:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5～1%。更優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為10:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.6%。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm～40nm。

優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電陽極基板為ITO玻璃基板、AZO玻璃基板或IZO玻璃基板。

優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。