[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310455196.9
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN104518116A
• 公開（公告）日: 2015-04-15
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括透明導電陽極基板和依次層疊設置在所述透明導電陽極基板上的發光功能層和陰極，其特征在于，所述陰極包括依次層疊設置在所述發光功能層上的第一陰極層和第二陰極層；

所述第一陰極層包括多個呈條狀間隔設置在所述發光功能層上的金屬層，所述金屬層的材料為Al、Ag、Au、Cu、Ca或Ba；

所述第二陰極層包括依次層疊設置在所述第一陰極層上的金屬氧化物層、合金層和導電氧化物薄膜層；所述金屬氧化物層的材料為Nb₂O₅、V₂O₅和Ta₂O₅中的至少兩種，所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬層的寬度為100μm～150μm，相鄰兩個所述金屬層之間的距離為100μm～150μm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為100nm～200nm，所述金屬氧化物層的厚度為30nm～50nm，所述合金層的厚度為10nm～20nm，所述導電氧化物薄膜層的厚度為20nm～40nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述Nb₂O₅、V₂O₅和Ta₂O₅在所述金屬氧化物層中的摩爾用量相等。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊設置在所述透明導電陽極基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。

6.如權利要求5所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質量分數為25%～35%；所述空穴注入材料為MoO₃、WO₃、V₂O₅和ReO₃中的至少一種，所述空穴傳輸材料為N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4′-二（9-咔唑）聯苯、N,N′-二（3-甲基苯基）-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺和1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷中的一種，所述空穴注入層的厚度為10nm～15nm。

7.如權利要求5所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4′-二（9-咔唑）聯苯、N,N′-二（3-甲基苯基）-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺和1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷中的一種，所述空穴傳輸層的厚度為30～50nm；

所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、4，7－二苯基－1，10－鄰菲羅啉、4-聯苯酚基－二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一種，所述電子傳輸層的厚度為10nm～60nm。

8.如權利要求5所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料包括綠光主體材料和綠光客體材料，所述綠光客體材料的摻雜質量分數為2%～10%，所述綠光主體材料為4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9′-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4′-二（9-咔唑）聯苯、N,N′-二（3-甲基苯基）-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺、1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷或9,10-雙(1-萘基)蒽；所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥或三[2-(對甲苯基)吡啶]合銥；所述發光層的厚度為10nm～30nm。