[發明專利]半導體封裝結構的形成方法

有效

• 申請號: 201310455180.8
• 申請日: 2013-09-29
• 公開（公告）號: CN103489804A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 石磊;陶玉娟
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體基底，所述半導體基底上形成有焊墊層；

形成覆蓋所述半導體基底和部分焊墊層表面的鈍化層，所述鈍化層中具有暴露部分焊墊層表面的第一開口；

在第一開口的側壁和底部以及鈍化層上形成凸下金屬層；

形成覆蓋所述凸下金屬層的第一掩膜層，所述第一掩膜層具有暴露第一開口上的部分凸下金屬層的第二開口；

在第二開口中形成金屬柱；

去除所述第一掩膜層；

在金屬柱的底部側壁和部分凸下金屬層表面上形成底層金屬層；

去除所述第二掩膜層；

以金屬柱和底層金屬層為掩膜，刻蝕去除金屬柱兩側的凸下金屬層。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述底層金屬層的形成過程為：在所述金屬柱的底部側壁和部分凸下金屬層的表面上形成犧牲層；形成覆蓋所述金屬柱、凸下金屬層、和犧牲層的第二掩膜層，所述第二掩膜層中具有暴露犧牲層遠離金屬柱一端表面的第三開口；沿第三開口去除所述犧牲層，形成空腔，所述空腔與第三開口連通，并暴露出金屬柱的底部側壁和凸下金屬層的表面；在暴露的金屬柱的底部側壁和部分凸下金屬層表面上形成底層金屬層。

3.如權利要求2所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，形成所述底層金屬層的工藝為電鍍或選擇性化學鍍。

4.如權利要求2所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，形成底層金屬層后，去除所述第二掩膜層。

5.如權利要求1所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料與凸下金屬層材料、金屬柱材料、第二掩膜層材料均不相同，所述犧牲層的材料為SiO2、SiN、SiON、多晶硅或無定形碳。

6.如權利要求1所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述底層金屬層的材料與凸下金屬層的材料不相同。

7.如權利要求1所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述底層金屬層可以為單層或多層堆疊結構。

8.如權利要求7所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述底層金屬層為雙層堆疊結構，所述雙層堆疊結構包括浸潤金屬層、位于浸潤金屬層上的填充金屬層。

9.如權利要求8所述的半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述浸潤金屬層為鎳、鈦、鉭中的一種或幾種，所述填充金屬層為鋁、鎢、銅、銀、錫、鉑、金中的一種或幾種。