[發明專利]一種制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310454689.0
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104517884B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 李敏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體襯底，

在所述半導體襯底上依次形成有墊氧化層、墊氮化物層；

圖案化所述墊氮化物層、墊氧化層和部分的所述半導體襯底，以形成溝槽；

在所述墊氮化物層和所述溝槽的底部及側面上形成第一氧化物層；

在所述第一氧化物層上形成氮化物層，所述氮化物層在溝槽水平方向的高度與所述半導體襯底頂部齊平或高于所述半導體襯底頂部；

在所述氮化物層上形成第二氧化物層；

平坦化所述第二氧化物層停止于所述墊氮化物層，以去除部分的所述第二氧化物層；

去除所述墊氮化物層和所述墊氧化層，以露出所述半導體襯底。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物層為氮化硅層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在去除所述墊氮化物層和所述墊氧化層之后在所述半導體襯底上形成柵極介電層和柵極，以及位于所述柵極介電層和柵極兩側的側墻結構的步驟。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述側墻結構的同時去除了剩余的所述第二氧化物層以露出所述氮化物層。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述側墻結構包括氧化物層和氮化物層，所述側墻結構為氧化物層、氮化物層和氧化物層的三層結構。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成所述溝槽之后在所述溝槽中形成襯墊層的步驟。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述襯墊層的材料為二氧化硅或者氮氧化硅。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化物層的厚度為所述溝槽底部到所述半導體襯底表面高度的50％至70％。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物層和所述半導體襯底之間的高度差為0埃至500埃。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化物層的厚度大于等于1000埃。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用高密度等離子化學氣相沉積工藝形成所述第一氧化物層和所述第二氧化物層。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用刻蝕工藝或者濕法清洗工藝去除所述墊氮化物層和墊氧化層。