[發明專利]一種半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201310454311.0
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN104517975B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 伏廣才;汪新學
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一半導體結構，至少包括：半導體襯底、間隔制作于所述半導體襯底中的淺溝槽隔離以及結合于所述淺溝槽隔離及所述半導體襯底正面的介質層，于所述半導體襯底背面制作具有刻蝕窗口的光刻掩膜，且所述刻蝕窗口垂向對應有淺溝槽隔離區域及介質層區域；

2)以第一刻蝕氣體對所述刻蝕窗口下方的半導體襯底進行刻蝕，使刻蝕停止于距所述淺溝槽隔離的上方第一距離的位置；

3)以第二刻蝕氣體對所述刻蝕窗口下方的半導體襯底繼續進行刻蝕，使刻蝕停止于距所述淺溝槽隔離的上方第二距離的位置，所述第二距離小于第一距離；

4)以第三刻蝕氣體對所述刻蝕窗口下方的半導體襯底繼續進行刻蝕，直至露出所述刻蝕窗口下方的淺溝槽隔離及介質層，形成用于制造焊盤的溝槽；

其中，所述第一刻蝕氣體對所述半導體襯底的刻蝕速率大于所述第二刻蝕氣體；所述第二刻蝕氣體對所述半導體襯底的刻蝕速率大于所述第三刻蝕氣體；所述第三刻蝕氣體對所述半導體襯底和所述淺溝槽隔離的刻蝕選擇比大于所述第二刻蝕氣體，并且，所述第三刻蝕氣體對所述半導體襯底和所述介質層的刻蝕選擇比大于所述第二刻蝕氣體。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述半導體器件為背照式圖像傳感器。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述半導體襯底的材料為硅，所述淺溝槽隔離和所述介質層的材料為二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述光刻掩膜包括圖形化的硬掩膜層和位于所述硬掩膜層上的圖形化的光刻膠層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：所述第一刻蝕氣體為CF₄、Cl₂、CHF₃及Ar的混合氣體；所述第二刻蝕氣體包括CF₄、Cl₂、CHF₃的混合氣體；所述第三刻蝕氣體為HBr、Cl₂、He及O₂的混合氣體。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟2)中，CF₄的流量范圍為30～50sccm，Cl₂的流量范圍為70～90sccm，CHF₃的流量范圍為50～70sccm，Ar的流量范圍為40～60sccm。

7.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟3)中，CF₄的流量范圍為30～50sccm，Cl₂的流量范圍為70～90sccm，CHF₃的流量范圍為50～70sccm。

8.根據權利要求5所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟4)中，HBr的流量范圍為90～110sccm，Cl₂的流量范圍為50～70sccm，He的流量范圍為15～25sccm，O₂的流量范圍為5～15sccm。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟2)于所述半導體襯底中刻蝕出第一溝槽，所述第一溝槽的截面形狀為倒梯形。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于：步驟2)所述的第一距離大于或等于650nm；步驟3)所述的第二距離大于或等于550nm。