[發(fā)明專利]箝位電路、半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的箝位方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310454234.9 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103715672B | 公開（公告）日： | 2018-11-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高在赫;金佑錫;金漢求;趙相容 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/00 | 分類號(hào)： | H02H9/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆賡;戴嵩瑋 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 箝位 電路 半導(dǎo)體 裝置 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
第一高電壓晶體管，具有柵極和第一電極，其中，第一電極連接到第一焊盤，其中，通過第一焊盤施加靜電放電ESD；以及
箝位電路，連接到第一高電壓晶體管的柵極，其中，箝位電路檢測(cè)由于通過第一焊盤注入到第一高電壓晶體管的第一電極的ESD導(dǎo)致的第一高電壓晶體管的柵極電壓的電平變化，并且根據(jù)檢測(cè)結(jié)果對(duì)第一高電壓晶體管的柵極電壓進(jìn)行箝位，
其中，箝位電路通過第一高電壓晶體管連接到第一焊盤。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一高電壓晶體管是控制電源傳輸?shù)碾娫撮_關(guān)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一高電壓晶體管具有與地電壓連接的第二電極，并且第一高電壓晶體管是橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，箝位電路包括：
觸發(fā)電路，產(chǎn)生觸發(fā)電壓，其中，觸發(fā)電壓的電平響應(yīng)于第一高電壓晶體管的柵極電壓的電平增大而變化；以及
箝位晶體管，響應(yīng)于觸發(fā)電壓而控制第一高電壓晶體管的柵極和地電壓之間的連接。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，觸發(fā)電路包括：
上拉單元，連接在第一高電壓晶體管的柵極和箝位晶體管的柵極之間并且上拉觸發(fā)電壓；以及
下拉單元，連接在上拉單元和地電壓之間并且下拉觸發(fā)電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，上拉單元包括金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管，所述MOS晶體管具有施加第一高電壓晶體管的柵極的第一電壓的源極和與施加第二電壓的第一節(jié)點(diǎn)連接的柵極，
其中，MOS晶體管的塊極電連接到第二電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，寄生二極管分量形成在第一高電壓晶體管的柵極和第一節(jié)點(diǎn)之間。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括驅(qū)動(dòng)電路，所述驅(qū)動(dòng)電路包括用于控制第一高電壓晶體管的驅(qū)動(dòng)的至少一個(gè)電路和具有作為箝位電路的操作電壓而施加的電壓的節(jié)點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括第二高電壓晶體管，
其中，箝位電路共同連接到第一高電壓晶體管的柵極和第二高電壓晶體管的柵極。
10.一種箝位電路，與橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS晶體管的柵極連接并包括：
靜電放電ESD檢測(cè)單元，檢測(cè)由于通過焊盤注入到LDMOS晶體管的第一電極的ESD導(dǎo)致的LDMOS晶體管的柵極的電勢(shì)變化并且輸出控制信號(hào)，其中，通過所述焊盤施加ESD；以及
箝位晶體管，連接到LDMOS晶體管的柵極，
其中，箝位晶體管的柵極接收控制信號(hào)，并且箝位晶體管響應(yīng)于控制信號(hào)而對(duì)LDMOS晶體管的柵極電壓進(jìn)行箝位，
其中，箝位電路通過LDMOS晶體管連接到所述焊盤。
11.如權(quán)利要求10所述的箝位電路，其中，ESD檢測(cè)單元包括第一金屬氧化物MOS晶體管，所述第一MOS晶體管具有與LDMOS晶體管的柵極連接的第一電極和與箝位晶體管的柵極連接的第二電極，并且通過對(duì)LDMOS晶體管的柵極電壓進(jìn)行切換來生成控制信號(hào)。
12.如權(quán)利要求11所述的箝位電路，其中，第一MOS晶體管通過第一MOS晶體管的第一電極接收LDMOS晶體管的柵極的第一電壓，通過第一MOS晶體管的柵極接收第二電壓，并且由于第一電壓和第二電壓之間的電平差而導(dǎo)通。
13.如權(quán)利要求12所述的箝位電路，其中，第一MOS晶體管的塊極電連接到第二電壓。
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