[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

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• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN103489876A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設計）人: 孫雙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在平板顯示技術領域占據著主導地位，受到了人們的廣泛關注。

現有技術中制備陣列基板時，為了減少構圖工藝的次數，引入半色調掩膜工藝將半導體有源層和源、漏極通過一次構圖工藝形成，但這會導致工藝難度的增加，從而可能引起薄膜晶體管性能的不穩(wěn)定。

此外，為了優(yōu)化陣列基板的性能并增加其平坦度，通常會在陣列基板中引入至少一層具有其它特定功能的圖案層。然而，制備具有其它特定功能的圖案層時，還需進行相應次數的構圖工藝，而每一次構圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。

本發(fā)明在避免半色調掩膜工藝的基礎上，提出一種新的陣列基板的結構，可簡化工藝難度，節(jié)約成本。

發(fā)明內容

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，可避免半色調掩膜工藝的使用，簡化工藝難度、節(jié)約成本。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管、像素電極、以及設置在所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極之間的圖案層；其中，所述圖案層包括斷開區(qū)域，所述斷開區(qū)域與所述源極和所述漏極之間的間隙對應；所述斷開區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開區(qū)域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出；所述像素電極與被所述斷開區(qū)域露出的所述漏極電連接。

可選的，所述圖案層包括有機透明絕緣層和位于所述有機透明絕緣層下方的粘附層。

進一步可選的，所述陣列基板還包括依次設置在所述像素電極上方的鈍化層和公共電極；其中，所述粘附層和所述有機透明絕緣層均包括所述斷開區(qū)域。

可選的，所述陣列基板還包括依次設置在所述有機透明絕緣層和所述像素電極之間的公共電極和鈍化層；其中，所述粘附層、所述有機透明絕緣層和所述鈍化層均包括所述斷開區(qū)域。

可選的，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層且間隔設置的公共電極；其中，所述粘附層和所述有機透明絕緣層均包括所述斷開區(qū)域。

進一步可選的，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層設置的透明電極保留圖案，且所述透明電極保留圖案至少與所述源極對應并位于所述源極上方；其中，所述斷開區(qū)域還將所述薄膜晶體管的源極露出，所述透明電極保留圖案與被所述斷開區(qū)域露出的所述源極電連接。

進一步的，所述陣列基板還包括數據線；所述數據線與所述透明電極保留圖案和/或所述源極電連接。

可選的，所述薄膜晶體管包括半導體有源層；其中，所述半導體有源層包括非晶硅層和n+非晶硅層；或者所述半導體有源層包括金屬氧化物半導體有源層。

可選的，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

再一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上通過一次構圖工藝形成包括柵極的圖案；在形成有包括所述柵極的圖案的基板上形成柵絕緣層；在形成有所述柵絕緣層的基板上通過一次構圖工藝形成第一圖案和位于所述第一圖案上方的第二圖案；其中，所述第一圖案與半導體有源層的圖案對應，所述第二圖案與待形成的源極和漏極對應；在形成有所述第二圖案的基板上形成包括斷開區(qū)域的圖案層，所述斷開區(qū)域與待形成的源極和漏極之間的間隙對應；其中，所述斷開區(qū)域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開區(qū)域至少將所述漏極露出；在形成有所述圖案層的基板上通過一次構圖工藝至少形成包括源極和漏極的圖案、以及像素電極；所述像素電極與被所述斷開區(qū)域露出的所述漏極電連接。

可選的，所述圖案層包括粘附層和有機透明絕緣層。

進一步可選的，在形成有所述第二圖案的基板上形成包括斷開區(qū)域的粘附層和有機透明絕緣層，具體包括：在形成有所述第二圖案的基板上依次形成粘附層薄膜和有機透明絕緣層薄膜，并通過一次構圖工藝，形成包括所述斷開區(qū)域的粘附層和有機透明絕緣層。

進一步的，在至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、以及所述像素電極之后，所述方法還包括：在所述像素電極的上方依次形成鈍化層和公共電極。