[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201310452517.X
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN103489876A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 孫雙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84;H01L23/50;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，其特征在于，包括薄膜晶體管、像素電極、以及設置在所述薄膜晶體管的源極和漏極與所述像素電極之間的圖案層；

其中，所述圖案層包括斷開區域，所述斷開區域與所述源極和所述漏極之間的間隙對應；

所述斷開區域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開區域至少將所述薄膜晶體管的漏極露出；

所述像素電極與被所述斷開區域露出的所述漏極電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述圖案層包括有機透明絕緣層和位于所述有機透明絕緣層下方的粘附層。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設置在所述像素電極上方的鈍化層和公共電極；

其中，所述粘附層和所述有機透明絕緣層均包括所述斷開區域。

4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括依次設置在所述有機透明絕緣層和所述像素電極之間的公共電極和鈍化層；

其中，所述粘附層、所述有機透明絕緣層和所述鈍化層均包括所述斷開區域。

5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層且間隔設置的公共電極；

其中，所述粘附層和所述有機透明絕緣層均包括所述斷開區域。

6.根據權利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述像素電極同層設置的透明電極保留圖案，且所述透明電極保留圖案至少與所述源極對應并位于所述源極上方；

其中，所述斷開區域還將所述薄膜晶體管的源極露出，所述透明電極保留圖案與被所述斷開區域露出的所述源極電連接。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括數據線；

所述數據線與所述透明電極保留圖案和/或所述源極電連接。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括半導體有源層；

其中，所述半導體有源層包括非晶硅層和n+非晶硅層；或者所述半導體有源層包括金屬氧化物半導體有源層。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1至9任一項所述的陣列基板。

11.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上通過一次構圖工藝形成包括柵極的圖案；

在形成有包括所述柵極的圖案的基板上形成柵絕緣層；

在形成有所述柵絕緣層的基板上通過一次構圖工藝形成第一圖案和位于所述第一圖案上方的第二圖案；其中，所述第一圖案與半導體有源層的圖案對應，所述第二圖案與待形成的源極和漏極對應；

在形成有所述第二圖案的基板上形成包括斷開區域的圖案層，所述斷開區域與待形成的源極和漏極之間的間隙對應；其中，所述斷開區域的最小寬度大于所述源極和所述漏極之間的間隙的寬度，且所述斷開區域至少將所述漏極露出；

在形成有所述圖案層的基板上通過一次構圖工藝至少形成包括源極和漏極的圖案、以及像素電極；所述像素電極與被所述斷開區域露出的所述漏極電連接。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述圖案層包括粘附層和有機透明絕緣層。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，在至少形成包括所述源極和所述漏極的圖案、以及所述像素電極之前，所述方法還包括：

通過一次構圖工藝形成公共電極；

在形成有所述公共電極的基板上形成鈍化層薄膜；

其中，在形成有所述第二圖案的基板上形成包括所述斷開區域的粘附層、有機透明絕緣層和鈍化層，具體包括：

在形成所述公共電極和所述鈍化層薄膜之前，在形成有所述第二圖案的基板上依次形成所述粘附層薄膜和所述有機透明絕緣層薄膜，對所述有機透明絕緣層薄膜進行一次構圖工藝，形成包括所述斷開區域的有機透明絕緣層；

在形成所述公共電極和所述鈍化層薄膜之后，對所述粘附層薄膜和所述鈍化層薄膜進行一次構圖工藝，形成包括所述斷開區域的粘附層和鈍化層。